基于饱和度的异色米粒检测方法

提出了一种基于饱和度的异色米粒检测方法.该方法由于利用米粒的一维饱和度特征将米粒分成正常白米粒和异色米粒两大类,因而,可通过一个分类阈值同时检测出米粒中的各种异色米粒.由于利用正常白米粒和异色米粒两类饱和度特征优化了分类阈值,而且还通过扫描式区域增长的办法来提高单个米粒的饱和度特征,因而,可在群米粒中检测出单个异色米粒,且检测精度高.实验结果得出:该方法对异色米粒检测的检测精度为97.8%.     

一种新型全耗尽双栅MOSFET

提出一种新型全耗尽双栅MOSFET,该器件具有异质栅和LDD结构.异质栅由主栅和两个侧栅组成,分区控制器件的沟道表面势垒.通过Tsuprem-4工艺模拟和Medici器件模拟验证表明,与普通双栅全耗尽SOI相比,该器件获得了更好的开态/关态电流比和亚阈值斜率.在0.18μm工艺下,开态/关态电流比约为1010,亚阈值斜率接近60mV/dec.     

一种新型全耗尽双栅MOSFET

提出一种新型全耗尽双栅MOSFET,该器件具有异质栅和LDD结构.异质栅由主栅和两个侧栅组成,分区控制器件的沟道表面势垒.通过Tsuprem-4工艺模拟和Medici器件模拟验证表明,与普通双栅全耗尽SOI相比,该器件获得了更好的开态/关态电流比和亚阈值斜率.在0.18μm工艺下,开态/关态电流比约为1010,亚阈值斜率接近60mV/dec.