硅中硼离子注入校准样品的研制

本文主要介绍了硅中硼离子注入校准样品的制备与研究。分别用三台SIMS仪器对样品进行了深度剖析与比对,并对用作校准目的的样品主要参数进行了定值。     

等离子增强化学汽相淀积SiC_x:H和SiN_xC_y:H薄膜的特点

<正> 一、引言 碳化硅具有优异的物理、化学稳定性,高的击穿电场和饱和电子迁移率等特性,因此被广泛用作温敏器件、集成电路表面钝化材料。 随着超大规模集成电路技术的发展,三元化合物薄膜的开发得到了重视,如氮氧化硅薄膜作为抗钠离子和抗潮湿的最后保护层,双层技术的中间层,已用于制造VLSI。氮碳化钛(TiC_xN_y)薄膜被用于保护涂层等。笔者在研究碳化硅、氮化硅薄膜的基础上,开展了碳氮化硅薄膜材料的研究。选择等离子增强化学汽相淀积(PECVD)方法制备碳化硅,碳氮化硅薄膜。     

高分子复合物纤维的研究进展

功能化和智能化是纤维发展的趋势.单一组分纤维难以满足日益发展的需求,而多组分纤维能够集中不同组分的特点,实现性能的集成与优化.通过非共价相互作用,高分子聚集而形成多组分均相体系,称为高分子复合物.利用高分子复合物的形成过程使纤维成型;或者直接利用高分子复合物进行纺丝而得到的纤维称为高分子复合物纤维.高分子复合物纤维,各组分可以达到分子层面上的相容性,给我们提供了一个功能纤维和智能纤维设计开发的平台.本文详细阐述了各类高分子复合物纤维的研究现状,并展望高分子复合物纤维的未来发展.     

测试中心实验室仪器效率及维修管理

从80年代初开始,许多工业发达国家广泛开展了包括维修管理学科在内的设备管理科学的研究和实施。例如,早在英国开展并在其他一些欧洲国家推广了“设备综合工程学(Terotechnology)”,美国根据综合项目工程和维修创立了“设备工程寿命周期理论”,日本则在许多企业实施了“全员生产维修(TPM)”计划。我国有关部门也认识到了维修管理工作的重要性,并已开始重视开发维修和改造仪器设备的能力,     

等离子增强化学汽相淀积a-SiC:H簿膜的AES研究

用俄歇电子能谱(AES)对等离子增强化学汽相淀积(PECVD)氢化非晶碳化硅(a-SiC∶H)薄膜进行了组分的深度剖析、半定量分析以及化学分析.俄歇深度剖析曲线表明PECVD淀积的薄膜均匀性非常好;用俄歇半定量结果比较了薄膜成分同淀积工艺参量之间的一些关系;根据实验获得的Si LVV和CKLL俄歇谱比较和讨论了不同[Si]/[C]浓度比薄膜的化学特征.     

电子能谱仪中筒镜分析器及其相关部件的维修

筒镜分析器(CMA)是俄歇电子能谱(AES)装置或AES同X射线光电子能谱(XPS或称ESCA)联合装置的关键部件。本文以ESCA/SAM550电子能谱仪中由于CMA故障,造成仪器没有AES和ESCA信号响应为例,介绍一种基本故障分析方法以及CMA和同轴电子枪等部件的维修保养经验。