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1.

刘晓彦刘恩峰杜刚刘弋波夏志良韩汝琦《半导体学报》2003,24(z1):148-152

利用从量子波尔兹曼方程简化得到的双量子修正和计入载流子动量的全流体动力学模型,编制了流体动力学半导体器件模拟程序,并对栅长25nm的体硅MOSFET和栅长30nm的FinFET结构进行了模拟.模拟结果表明,改进后的流体动力学模型在工程应用中能够适应模拟纳米级MOSFET的要求,用于纳米级MOSFET的特性研究和优化设计. 相似文献

2.

n沟肖特基势垒隧穿晶体管特性研究

杜刚刘弋波孙雷刘晓彦韩汝琦《固体电子学研究与进展》2004,24(1):10-14

利用自主开发的蒙特卡罗器件模拟软件 ,对 n沟肖特基势垒隧穿晶体管 (SBTT)的输出特性和转移特性进行了模拟 ,详细分析了沟道区掺杂浓度 ,源漏硅化物区深度以及栅氧化层厚度对 SBTT特性的影响。相似文献

3.

纳米级MOSFET的模拟

刘晓彦刘恩峰杜刚刘弋波夏志良韩汝琦《半导体学报》2003,24(Z1)

利用从量子波尔兹曼方程简化得到的双量子修正和计入载流子动量的全流体动力学模型,编制了流体动力学半导体器件模拟程序,并对栅长25nm的体硅MOSFET和栅长30nm的FinFET结构进行了模拟.模拟结果表明,改进后的流体动力学模型在工程应用中能够适应模拟纳米级MOSFET的要求,用于纳米级MOSFET的特性研究和优化设计. 相似文献

4.

亚50nm双栅MOS场效应晶体管的流体动力学模拟

刘弋波刘恩峰刘晓彦韩汝琦《半导体学报》2003,24(5):144-147

利用自主开发的流体动力学模拟软件对亚50nm沟长双栅MOS场效应晶体管的特性进行了模拟，比较了不同沟道长度时电子温度和漂移速度沿沟道方向的分布，并讨论了器件的短沟效应。相似文献

5.

亚50nm双栅MOS场效应晶体管的流体动力学模拟

刘弋波刘恩峰刘晓彦韩汝琦《半导体学报》2003,24(z1):144-147

利用自主开发的流体动力学模拟软件对亚50nm沟长双栅MOS场效应晶体管的特性进行了模拟,比较了不同沟道长度时电子温度和漂移速度沿沟道方向的分布,并讨论了器件的短沟效应. 相似文献

6.

亚50nm双栅MOS场效应晶体管的流体动力学模拟

刘弋波刘恩峰刘晓彦韩汝琦《半导体学报》2003,24(Z1)

利用自主开发的流体动力学模拟软件对亚50nm沟长双栅MOS场效应晶体管的特性进行了模拟,比较了不同沟道长度时电子温度和漂移速度沿沟道方向的分布,并讨论了器件的短沟效应. 相似文献