半导体放电管

分析了造成电压瞬变和浪涌的原因，介绍了相应的防护办法，叙述了新型过压保护器件－半导体放电管的结构、特点，应用以及与其它传统的保护器件（TVS二级管、半导体放电管）的区别。     

基于单片机技术的激光功率测量系统

介绍了利用光电二极管、A/D转换和单片机技术建立一种新璎的激光功率实时测量系统.通过光电耦合获得电流信号,研究了光谱响应,研制了 A/D转换模块与电路,开发了单片机接口与程序,将数字量传送给计算机,实时显示激光功率,并实现反馈输出,功率测量的线性度好,测量灵敏度高,响应速度及分辨率达到了实用要求,使用可靠.     

低压VDMOSFET元胞尺寸设计

VDMOSFET的一个重要设计目标就是要在单位面积得到最小的导通电阻。理论分析了多晶硅栅长度LP和窗口扩散区长度LW对VDMOSFET特征电阻的影响,并通过大量计算得到了最小特征电阻时窗口扩散区长度LW的取值方法和多晶硅栅长度LP的取值范围。     

一种有效减小沟道电荷注入效应的二阶开关电容低通滤波器的设计

本文给出了一种二阶开关电容低通滤波器的设计,重点分析了其减小沟道电荷注入效应的两种方法.Hspice仿真结果表明这种电路结构几乎不受沟道电荷注入效应的影响.     

一种高精度微硅加速度计的模态分析与模拟验证

文章介绍了一种“轿式”结构高精度微硅加速度计的总体结构。从振动机理出发,重点分析该加速度计的振动模态与结构参数的关系,得出了两者之间的函数关系,利用Ansys结构分析软件对其进行了模拟验证。