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1.
2.
3.
完成了19F+27Al深部非弹性碰撞产物的角分布测量.初步分析了反应产B,C,N,O,F,Ne,Na,Mg和Al的实验室系角分布,展现出深部非弹性反应机制的特点,显示了反应系统随时间的演化过程. Angular distributions of fragments produced in the deep inelastic collision of~(19)F+~(27)Al have been measured for incident energy of 114 MeV at θ_(lab)= 9~(o), 24~(o), 40~(o), 55~(o), 70~(o) and 85~(o). Angular distributions of dissipative products B, C, N, O, F, Ne, Na, Mg and Al are analyzed to provide an evolution process of the intermediate dinuclear system formed in the reaction. 相似文献
4.
基于FPGA的RFID读写器设计 总被引:4,自引:1,他引:4
阐述了RFID技术原理,以及应用于RFID技术的EPC Class 1规范。给出了基于单片机和FPGA的EPCClass 1读写器数字系统设计方案,以及整个读写器系统设计方案。重点论述了FPGA的应用,包括电源控制与单片机通信,以及实现对标签读写操作的编码和解码实现,同时给出相应关键程序的代码。 相似文献
5.
对于盐熔法合成的LiNdP_4O_(12)单晶进行了X射线衍射分析,该晶体属于单斜晶系,空间群为C2/c,z=4,晶胞参数为:α=16.486A,b=7.073A,c=9.775A,β=126.23°,全矩阵最小二乘法修正给出1251个独立反射的R=0.054,R_ω=0.050,经吸收和次级消光校正后,R=0.048,R_ω=0.043,基本的结构单位是(PO_3)_n的螺旋带,它们由共角的四面体构成,十二面体NdO_8不共有任何O原子,从这意义来说是相互分立的。 相似文献
6.
对于提拉法合成的BiVO_4单晶进行了X射线衍射分析。室温下该晶体属于单斜晶系,空间群为B2/b,z=4,晶胞参数为:a=7.247A,b=5.096A,c=11.702A,γ=134.18°。进行了二维、三维帕特逊分析和三维电子密度计算。全矩阵最小二乘法修正给出335个独立反射的R=0.067,R_w=0.058。经吸收和次级消光校正后,R=0.058。Bi和V原子各占据一套4e特殊点系,O原子占据两套一般点系。V~(3 )是四配位,形成规则的VO_4四面体。Bi~(3 )是八配位,形成畸变Bi-O十二面体。BiVO_4在T_c温度上下空间群各为I4_1/a和I2/b(或B2/b)。由四方到单斜相变没有正交中间变体。相变显然是由Bi-O多面体孤对畸变所驱动。Bi~(3 )和V~(5 )沿c轴上下交替位移,这就显示单斜BiVO_4具有层状结构的特征。这一特征由光学观察得到证实。该晶体在垂直干c轴的方向极易开裂而产生平坦的解理面。 选取具有胞状结构圆盘形晶体、自然解理晶片和粉末晶粒三种试样进行了光学观察,并研究了晶体透过率与波长关系。 相似文献
7.
根据Wigner-Hough变换思想和广义似然比检验理论,分析了双门限情况下线性调频信号的检测性能,给出了虚警概率和检测概率的数学表达式,该表达式是Hough变换的积累单元数和检测门限的函数,然后对概率密度函数进行了合理近似,并给出了Hough变换的积累单元数计算公式,最后的计算机仿真比较了傅立叶变换和Wigner-Hough变换的LFM(Linear Frequency Modulated)信号检测性能和基于Wigner-Hough变换的不同目标起伏类型的LFM信号检测性能. 相似文献
8.
9.
本文使用差值光吸收谱的测量及谱峰分离技术,测量了掺铁和未掺杂LiNbO3晶体的辐照着色吸收谱及其随辐照剂量的变化规律,并进行比较研究.结果表明:经γ射线辐照处理的LiNbO3;Fe晶体在可见和近红外区产生室温稳定的色心或电荷转移吸收带,它包含了γ射线辐照处理未掺杂LiNbO3中的全部色心吸收带(A,B,C和D),并在B带(2.70eV)长波一侧产生一个新的小吸收带B’(2.45eV).本文认为,2.6 eV附近的宽吸收带系作为基质的LiNbO3晶体本身的辐照缺陷,铁的掺入在LiNbO3中形成Fe2+-VLi偶极子,成为稳定的填隙氧离子陷阱,从而大大增加LiNbO3中色心的增长速率和浓度.并伴生一新吸收带,它可能是由受Ⅰ-Ⅴ偶极子扰动的F+心所产生.此外,还讨论了与铁的掺入有关的其它晶体物理和晶体化学问题. 相似文献
10.