Ga_xIn_(1-x)P/GaAs(100)液相外延界面缺陷的透射电镜观察

用超高压电镜观察和分析了平面、剖面及磨角的Ga_xIn_(1-x)P/GaAs样品,界面附近位错线的柏氏矢量大多是 b=1/2<100>,平面样品中位错线弯曲且相互交织形成网络,剖面样品中位错线较直且是分立的,不形成网络.认为衬底表面及母液中的夹杂物是外延层中位错的主要来源.另外,在磨角样品中看到衬底位错通过弯曲和表面产生机制向外延层扩展.     

在700℃下液相外延生长的GaAs、Al_xGa_(1-x)As中镁的掺杂特性

本文报告在700℃下液相外延生长的GaAs,Al_xGa_(1-x)As的镁掺杂特性.测量了母液中不同镁的原子比与外延生长的CaAs,Al_(0.53)Ga_(0.47)As的空穴浓度的关系,掺镁GaAs的空穴浓度与其迁移率的关系以及在77—300K温度范围内空穴浓度、迁移率与温度的关系.估算了700℃下镁在GaAs中的分配系数.     

CaCl2在甘氨酸+水和丙氨酸+水混合溶剂中的活度系数

利用离子选择性电极(ISE)测定了298.15 K时CaCl2在甘氨酸+水和丙氨酸+水混合溶剂中的活度系数. CaCl2的质量摩尔浓度变化范围为0.01～0.20 mol/kg, 氨基酸的质量摩尔浓度变化范围为0.10～0.40 mol/kg. 用Debye-Hückel扩展方程和Pitzer方程进行理论计算得到的活度系数基本一致. 依据McMillan-Mayer理论, 计算了CaCl2从纯水到氨基酸水溶液的标准转移Gibbs自由能, 利用最小二乘法拟合求得了对相互作用参数(gEA)和盐效应常数(ks). 讨论了这两种氨基酸的加入对CaCl2的活度系数、热力学稳定性及盐效应常数的影响.     

液相外延生长的Al_xGa_(1-X)As中Al组分分布及少子扩散长度的研究

用液相外延生长了不同x值0.2-0.8的P型和N型AlxGa_(1-x)As.用X光能谱法测量了厚度10μm范围内的Al组分分布.发现在厚度为5μm以内Al组分基本上是均匀的,而在5μm以外随着厚度的增加对于高Al样品x值是增高的,而对于较低Al组分样品x值降低.用EBIC方法测量了电子和空穴的扩散长度.得到在掺杂杂质浓度相同的条件下电子的扩散长度随Al组分x值的增加而减小.空穴的扩散长度则不随Al组分的变化而变化.     

在710℃下Al_xGa_(1-x)As液相外延短时间生长特性的研究

本文报道了在710℃下Al_xGa_(1-x)As过冷式液相外延的短时间生长特性.在710℃下,降温速率为 0.45℃/分钟时“流动”机制被抑制.短时间生长以“表面反应”机制为主.产生了较大的等效过冷度,它是薄层生长的主要障碍.测得在710℃下As在Ga溶液中的扩散系数为2.3×10~(-3)cm~2/s.并测得界面过渡层厚度为170A.     

Ga_xIn_(1-x)P-GaAs的液相外延生长

<正> 异质结半导体激光器问世以来已取得了很大的进展,目前已做到室温连续工作寿命十万小时以上.但是异质结激光器的工作大部份集中在Al_xGa_(1-x)As-GaAs和Ga(1-x)In_xPyAs(1-y)-InP两种材料上.它们的发光波长在近红外区,分别为～0.89μm和 1.1-1.6μm.配合光纤的最低损耗区,利于在光纤通讯中使用.可见光波段的半导体激光器有自己独特的应用前景,仅光盘一项的使用量就很大.目前虽然有很多人用Al_xGa_(1-x)As(0.2     

不同温度下水溶液中树胶醛糖与HCl相互作用的体积性质

采用密度法研究了在278.15—318.15 K(间隔10 K)下树胶醛糖+HCl+水三元溶液的密度、树胶醛糖在盐酸(0.2—2.1087 mol/kg)中的表观摩尔体积VΦ,A、标准表观摩尔体积VΦ,A0和树胶醛糖与HCl的体积相互作用参数. 研究结果表明, 树胶醛糖在盐酸中的VΦ,A和VΦ,A0均随HCl浓度的增加而线性增大. 在一定温度下, 树胶醛糖从纯水到盐酸水溶液的标准转移表观摩尔体积均为正值, 且随盐酸浓度的增加而增大. 在所测温度范围内, 树胶醛糖在盐酸中的VΦ,A0随温度T的变化关系可表示为VΦ,A0=b0+b1(T-273.15)0.84. 树胶醛糖与HCl对体积相互作用参数VEN大于零, 但数值很小且对温度变化不甚敏感.