基于快速脉冲充电电路的仿真研究

本文基于快速脉冲充电电路的仿真研究,阐述了以CC4017十进制计数器和555多谐振荡器组成的脉冲式快速充电电路工作时的基本工作状态和基本工作参数。当对电路进行仿真时,改变电路中元件参数,会改变电池充电效率,由仿真结果可以分析出快速脉冲充电的最优工作状态,以及电路工作的可靠性,以便延长电池的使用寿命和提高维护效率。     

K2NiF4型Eu2—xSrxCuO4稀土复合氧化物的合成、结构及还原特性

研究了具有K2NiF4型结构的Eu2-xSrxCuO4复合氧化物合成,物相结构及其还原特性。发现用络合凝胶法制备时,Eu2-xSrxCuO4复合氧化物的生成温度为1100℃左右,粉末XRD表明Eu2-xSrxCuO4复合氧化物属四方 晶系,空间群为I4／mmm,其晶胞参数随x的增加而增加,当x≥0.7时,多余的Sr不能进入晶胞而呈游离的SrO形式存在,同时在物相中也存在一定数量的CuO物相,Eu2-xSrxCuO4系列复合氧化物对CO和甲烷的催化氧化反应的活性在x较小随着x的增加而增加。     

Effect of Density and Surface Roughness on Optical Properties of Silicon Carbide Optical Components

The effect of density and surface roughness on the optical properties of silicon carbide optical components is investigated. The density is the major factor of the total reflectance while the surface roughness is the major factor of the diffuse reflectance. The specular reflectance of silicon carbide optical components can be improved by increasing the density and decreasing the surface roughness, in the form of reducing bulk absorption and surface-related scattering, respectively. The contribution of the surface roughness to the specular reflectance is much greater than that of the density. When the rms surface roughness decreases to 2.228nm, the specular reflectance decreases to less than 0. 7% accordingly.     

Eu2掺杂SiAION基复相荧光粉物相组成及发光性能的研究

采用高温固相法合成了由Ca-α-SiAlON:Eu2+(α相)和β-SiAlON:Eu2+(β相)两相组成的Ca0 25-xSi9.9 Al2.1O16 N14.4:xEu2+系列荧光粉,研究了Eu掺杂浓度及烧结条件对其物相组成及发光性能的影响.结果表明,在0.5 MPa氮气气氛下,1700℃保温1h的产物中α相质量分数随x值增大先减小后增大,于x =0.025时达到最小值27.0％；产物中α相含量随烧结温度升高而增大,在1900℃时达到55.2％.此体系荧光粉的激发和发射强度与α相含量成正比例关系,且发射峰位置随α相含量增多发生红移.     

Ag-Cu-Ti连接SiC/SiC接头界面反应和界面结构

三元Ag-Cu-Ti活性钎料连接常压烧结SiC陶瓷。通过XRD(X-ray diffraction)、EPMA(electron probe microanalysis)和TEM(transmission electron microscopy)研究了SiC/Ag-Cu-Ti界面反应和界面结构。结果表明:焊料中的活性元素Ti与SiC发生化学反应在界面处形成连续致密的反应层,界面反应产物为TiC和Ti5Si3,整个界面形成SiC/TiC/Ti5Si3/Ag-Cu-Ti焊料的结构,其中TiC层晶粒大小约为10 nm左右并且连续分布,而Ti5Si3层晶粒大小差异大(100~500 nm)且不连续,这种差异是由于TiC的高成核率和Ti5Si3的低成核率而产生的。     

K_2NiF_4型Eu_(2-x)Sr_xCuO_4稀土复合氧化物的合成、结构及还原特性

研究了具有K2 NiF4 型结构的Eu2 -xSrxCuO4 复合氧化物的合成、物相结构及其还原特性。发现用络合 凝胶法制备时 ,Eu2 -xSrxCuO4 复合氧化物的生成温度为 110 0℃左右 ,粉末XRD表明Eu2 -xSrxCuO4 复合氧化物属四方晶系 ,空间群为I4/mmm ,其晶胞参数随x的增加而增加。当x≥ 0 7时 ,多余的Sr不能进入晶胞而呈游离的SrO形式存在 ,同时在物相中也存在一定数量的CuO物相。Eu2 -xSrxCuO4 系列复合氧化物对CO和甲烷的催化氧化反应的活性在x较小时随着x的增加而增加。     

SiH_4-NH_3-N_2体系LPCVD氮化硅薄膜的研究

通过傅立叶红外光谱(FTIR)和X光电子能谱(XPS)研究了SiH4-NH3-N2体系在不同气体原料比情况下,低压化学气相沉积(LPCVD)SiNx薄膜的化学组成,利用原子力显微镜观察了SiNx薄膜的微观形貌,借助椭圆偏振仪研究了薄膜的折射率。结果表明:当原料气中氨气与硅烷的流量之比(R)较小时(R<2),获得富Si的SiNx薄膜(x<1.33),折射率较高。当氨气远远过量时(R >4),获得近化学计量的的SiNx薄膜(x = 1.33),折射率处于1.95~2.00之间。在适当的工艺条件下,获得的SiNx薄膜H、O含量很低,薄膜表面均匀、平整。     

氮(氧)化物荧光粉研究进展

氮氧化物荧光粉材料具有高发光效率、可被可见光有效激发、荧光特性可设计性强、热稳定性高和环境友好等诸多优点,因此成为白光LED用荧光体的重要候选材料.近年来,国际材料学界掀起了稀土掺杂氮氧化物荧光粉的研究热潮,并取得了一系列创新性研究成果.本文综述了各种新型氮氧化物荧光粉的制备方法,重点分析了各类稀土掺杂氮氧化物荧光粉的发光特征及其研究进展,最后探讨了氮氧化物荧光粉的研究发展方向.通过改变稀土掺杂离子周围的晶体场环境实现对荧光体发光性能的裁剪设计、激活离子在荧光体基质材料中所占据结晶位置的确定、高质量红光氮氧化物荧光体的研发等将是氮氧化物荧光体未来研究的主要方向.     

SiH_4-NH_3-N_2体系LPCVD氮化硅薄膜的生长动力学

以硅烷和氨气分别作为低压化学气相沉积(LPCVD)氮化硅(SiNx)薄膜的硅源和氮源,以高纯氮气为载气,在热壁型管式反应炉中,借助椭圆偏振仪和原子力显微镜,系统考察了工作压力、反应温度、气体原料组成等因素对SiNx薄膜沉积速率和表面形貌的影响。结果表明:SiNx薄膜的生长速率随着工作压力的增大单调增加,随着原料气中氨气与硅烷的流量之比的增大单调减小。随着反应温度的升高,沉积速率逐渐增加,在840℃附近达到最大,随后迅速降低。在适当的工艺条件下,制备的SiNx薄膜均匀、平整。较低的薄膜沉积速率有助于提高薄膜的均匀性,降低薄膜的表面粗糙度。     

Eu~(2+)掺杂SiAlON基复相荧光粉物相组成及发光性能的研究

采用高温固相法合成了由Ca-α-SiAlON:Eu2+(α相)和β-SiAlON:Eu2+(β相)两相组成的Ca0.25-xSi9.9Al2.1O1.6N14.4:xEu2+系列荧光粉,研究了Eu掺杂浓度及烧结条件对其物相组成及发光性能的影响。结果表明,在0.5 MPa氮气气氛下,1700℃保温1 h的产物中α相质量分数随x值增大先减小后增大,于x=0.025时达到最小值27.0%;产物中α相含量随烧结温度升高而增大,在1900℃时达到55.2%。此体系荧光粉的激发和发射强度与α相含量成正比例关系,且发射峰位置随α相含量增多发生红移。