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1.
有机-无机杂化太阳能电池因其结合了有机材料和无机材料各自的优势而引起了人们的广泛关注和研究. Cd基化合物纳米晶因其具有制备方法简单、尺寸及形貌可控、载流子迁移率高和稳定性好等优点而成为最早被研究的一类无机受体. 本文介绍了有机-无机杂化太阳能电池的结构及原理, 分析了影响有机-无机杂化太阳能电池效率的三个主要因素, 分别是开路电压(Voc)、短路电流(Jsc)和填充因子(FF). 从改善Cd基化合物纳米晶的合成方法, 增加Cd基化合物纳米晶和有机聚合物间的界面接触, 以及优化Cd基化合物纳米晶和有机聚合物所用溶剂和所占比例等方面阐述了近年来Cd基化合物纳米晶-有机聚合物杂化太阳能电池的研究进展. 并展望了Cd基化合物纳米晶-有机聚合物杂化太阳能电池的发展方向.  相似文献   
2.
曹洁  曲胜春  刘孔  王占国 《半导体学报》2010,31(8):083003-4
摘要:使用电化学沉积技术可低成本制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜,并应用于太阳电池。本文研究恒压法电化学沉积中电解液温度对制备CIGS薄膜性能的影响。以柠檬酸钠为缓冲剂,Mo玻璃为衬底,电位恒定为-0.75V,电解液温度分别为20,40,60℃,均得到厚度约为1μm的CIGS薄膜。结果表明以电沉积法成功制备出黄铜矿结构的CIGS多晶薄膜,晶粒均匀,X射线衍射谱表明其组分为CuIn0.7Ga0.3Se2。电解液温度对制备薄膜的质量有显著影响,随着电解液温度升高,CIGS薄膜的结晶性变好,晶粒尺寸呈现增大趋势。电解液温度变化对薄膜组分无明显影响。  相似文献   
3.
Electrodeposition is a promising and low cost method to synthesize CuIn_xGa_(1-x)Se_2(CIGS)thin films as an absorber layer for solar cells.The effect of bath temperature on the properties of CIGS thin films was investigated in this paper.CIGS films of 1μm thickness were electrodeposited potentiostatically from aqueous solution,containing trisodium citrate as a complexing agent,on Mo/glass substrate under a voltage of-0.75 V,and bath temperatures were varied from 20 to 60℃.The effects of bath temperature ...  相似文献   
4.
本文基于理论的方法研究了沟道长度和宽度对石墨烯场效应晶体管中大信号和小信号参数的影响. 在快速饱和及高特征频率条件下,石墨烯场效应晶体管均表现出优异的性能. 从传递曲线可以看到,随着沟道长度从440 nm变到20 nm,产生了一个从0.15 V 到0.35 V的狄拉克点正偏移,同时也揭示了石墨烯的双极特性. 而且,由于沟道变宽及漏电流增加,当沟道宽度为2 μm和5 μm时,相应的最大电流为2.4 mA和6 mA. 另外,还在石墨烯场效应晶体管中观察到了几乎对称的电容-电压特性,电容会随着沟道变短而减小,但另一方面电容又可以通过沟道展宽来增加. 最后,在沟道长度为20 nm处获得了一个6.4 mS的高跨导,在沟道宽度为5 μm处获得的跨导值为4.45 mS,特征频率为3.95 THz.  相似文献   
5.
本文研究了烧结温度对液相过程制备的碲化镉(CdTe) 纳米晶薄膜性质的影响,以得到最优性能的CdTe/Al 肖特基纳米晶太阳电池。在AM 1.5 条件下,由350℃ 烧结的CdTe 薄膜制作太阳电池得到了2.67% 的最高效率。 当烧结温度增加到350℃ 时,薄膜中纳米晶尺寸明显增加。烧结温度在200℃ 到400℃ 范围内时,短路电流随温度增加而不断增加,但是,过度的烧结 (450℃) 处理会引起太阳电池的短路。  相似文献   
6.
本文以(?)(?)与NaOH的克分子比在1∶2.5以上进行部份水解,制备(?)分析其中(?)与(?)的含量,然后补加(?)配成各种比例进行钠盐溶液法共缩聚,并研究了缩聚反应的各种条件,体系中存在着(?)及(?)[Ⅲ]三种单体,其端基活性不等,酚钠盐活性是[Ⅱ]>[Ⅰ],氯端基活性是[Ⅲ]>[Ⅰ],三者在体系中比例不同,不但使起始聚合速度不同,而且聚合物性能相差较大,[Ⅲ]过量时聚合物性能最好。  相似文献   
7.
为了提高无机纳米发光材料的发光效率和有机-无机杂化电致发光器件的性能,使用有机金属前驱体法,制备了具有化学组分梯度的ZnCdS/CdxZn1-xSeyS1-y量子点量子阱材料以及CdxZn1-xSeyS1-y量子点材料。观察到相同反应温度与反应物配比所制得的ZnCdS/CdxZn1-xSeyS1-y光致发光峰相较于CdxZn1-xSeyS1-y出现明显的蓝移,且荧光量子效率有一定的提高,最高可达60.6%。通过在反应过程中调节Se与S的比例,观察到了反应产物的光致发光峰随Se比例的减少而逐渐蓝移。结果表明,与使用纯无机纳米材料作为有源层的器件相比,使用量子点量子阱材料制备的有机-无机杂化LED的电流效率提高了4.3倍。  相似文献   
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