紫外写入法制作阵列波导光栅

提出了一种可能代替传统的利用反应离子刻蚀法（RIE）来制作阵列波导光栅（AWG）的新方法－紫外写入法。对紫外写入法制作AWG的可行性和优缺点进行了分析，设计了AWG的基本参数，并对整个工艺流程进行了设计和优化。最后，报道了本实验组获得的紫外诱导折射率变化值以及用紫外写入法制作的条形波导阵列。     

GaP／Si异质结的制备及特性

用低压预处理液相外延方法在Ｓｉ衬底上生长了ＧａＰ外延层．解决了由于硅衬底极易氧化而造成的局部生长问题．从外延层中Ｓｉ的含量、固相组分的化学计量比、表面形貌等方面来比较，以Ｓｎ为生长熔体好于Ｇａ或Ｉｎ．外延片表面的小平台和台阶状结构是由于晶格失配的应力场分布不均匀造成的．位错腐蚀结果证明了这种分析．ＬＰＥ生长的ＧａＰ／Ｓｉ片光致发光峰值波长为５４０ｎｍ．     

火焰水解法制作SiO2平面波导材料

采用火焰水解法在Si基上淀积SiO2/GeO2:SiO2预制材料,然后在真空中／空气气氛中高温处理（1380℃）后,制得玻璃化的SiO2/GeO2:SiO2膜材料。该材料膜厚适中（10－30μm）、平整度好、光滑透明和适合制作单模、多模列平面小光栅。利用XRD,SEM和台阶仪等仪器对SiO2膜进行了测试分析。     

硅基二氧化硅厚膜材料的快速生长

采用火焰水解法在Si片上快速淀积SiO₂厚膜材料,材料膜厚达到40μm以上,生长速率达8μm/min.然后将该材料分别在真空中/空气气氛中高温致密化处理,获得了各种形态的二氧化硅厚膜材料,包括平整度好、光滑透明的玻璃态SiO₂厚膜材料.并利用XRD、电子显微镜等仪器对SiO₂膜的表面和膜厚进行了测试分析.     

二甲庚基乙酰胺(N503)自盐酸溶液中萃取铟的研究

本工作研究了二甲庚基乙酰胺(N₅₀₃)自盐酸溶液中萃取铟的性能,得出其萃取能力随着酸度的增加而增加。经斜率法和化学分析法确定,N₅₀₃自盐酸溶液中萃取铟的反应为: 萃合物中的溶剂化数n随酸度而变化。IR和NMR研究证明,铟是以HInCl₄形式被N₅₀₃萃入有机相的。在盐酸体系中(HCl<2N),N₅₀₃对镓、铟、铊的萃取顺序为:Tl(Ⅲ)>Ga(Ⅲ)>In(Ⅲ)     

等价组态光谱项速算法

原子光谱项对研究原子结构和原子光谱具有重要地位,在原子物理学,量子化学,结构化学和配位化学等书中都有一定的阐述。其中求取等价组态光谱项是一大难点,如“电子排布法”、“逐级消去法”、“行列式波函数法”是常用方法,但是,若求出较复杂组态的光谱项(如具有成百上千种微状态的谱项),这些方法很繁琐以致在实际中无法使用;对“Slater 图解法”、     

πMO的角边投影模型——直链烯烃πMO能级和系数的三角函数法

直链烯烃的分子轨道图象的建立与研究一直是结构化学和量子化学关注的重要课题。对初学者,如果能运用分子轨道理论的一般知识,建立一种简单通俗的模型,避开复杂的数学处理过程,应用初等数学方法进行计算又能得到同样结果,这是很有实际意义的。本文试图建立一个πMO的角边投影模型,应用初等三角函数法处理直链烯烃分子轨道能级和轨道系数。     

二甲庚基乙酰胺(N_(503))自盐酸溶液中萃取铟的研究

本工作研究了二甲庚基乙酰胺(N_(503))自盐酸溶液中萃取铟的性能,得出其萃取能力随着酸度的增加而增加。 经斜率法和化学分析法确定,N_(503)自盐酸溶液中萃取铟的反应为: In_(a)~(3+)+H_(a)~++4Cl_(a)~=+nN_(503)(O)?HInCl_4·nN_(503)(O)萃合物中的溶剂化数n随酸度而变化。IR和NMR研究证明,铟是以HInCl_4形式被N_(503)萃入有机相的。在盐酸体系中(HCl<2N),N_(503)对镓、铟、铊的萃取顺序为: Tl(Ⅲ)>Ga(Ⅲ)>In(Ⅲ)     

确定原子态的一种简易方法

本文对原子中同科电子的 Ｌ－Ｓ偶合，提出一种确定原子态的简易方法，该方法是将原子组态中的电子按着不同自旋状态（α和β）分开进行处理，归纳出给定组态的Ｌ、Ｓ、Ｊ的确定方法，并且运用矢量模型加以详尽的说明．应用该方法求得的原子同科ｓ、ｐ、ｄ、ｆ电子所形成的原子态，其结果与斯莱特（Ｓｌａｔｅｒ）给出的完全一致．