玻璃衬底NEA GaAs透射式光电阴极的XPS定量表面化学分析和瞬态响应时间的直接测量

在一个商业超高真空装置中,对以玻璃为衬底并附有 Ga_xAl_1As 过渡层的半透明 GaAs 膜进行激活,获得了负电子亲和势(NEA)特性。在激活前后对光电阴极进行了定量表面分析,结果表明:Cs-O 表面层的化学计量是准确的 Cs_2O,其厚度约为1.3nm。通过测量阴极的光电子能带分布(EDC),首次证实了在负电子亲和势工作状态下,整个光电灵敏区域中热化电子的分布都很窄,并且几乎与波长无关。使用一架专用的超高真空可拆卸同步条纹相机测量了一些 NEA 阴极的响应时间,其典型值约8Ps。在中等瞬时分辩率的条纹相机中可考虑使用 GaAs NEA 光电阴极。这种相机工作于技术领域中重要的1.3～1.55μm 光谱波段。     

一种有发展前途的光电发射体——场辅助转移电子光电阴极

本文介绍一种很有发展前途的负电子亲和势光电发射体——场辅助转移电子光电阴极,其长波阈可达2.1微米。它是一种多层结构,表面具有Cs-O激活的银膜,工作时施加以反向偏置电压的异质结光电发射体。     

RESEARCH ON OPTICAL METHOD OF MONITORING PHOTOCATHODE PROCESS

The principle of an optical method of photocathode processing control, which is one ofphotocathode processing monitoring techniques, is discussed. A designed monitoring apparatus is describedand has been applied to investigate the optical parameters of multialkali photoemitter during the process offabrication. Some actual schemes using the method to monitor the preparation of photocathodεs are sug-gested.     

用光电子能谱确定(Cs—O)激活GaAs(110)表面的结构

一、前言负电子亲和势(NEA)材料的发现是光电发射材料领域中一项开拓性进展。尔后,人们对比GaAs带隙更窄的其它Ⅲ-V族半导体进行了更为广泛的研究,旨在获得NEA状态,为一些工作在1μm或更高波段的红外系统选择高效率光电阴极推动了研究工     

光学法检测光阴极的研究

文中讨论了光学法检测光阴极的原理,介绍了所设计的监测装置及对多碱光阴极制作过程中光学信息的检测,提出了利用光学法监控光阴极制作的具体方案。     

光电阴极的研究现状和发展趋势

本文综述了近年来国内外光电阴极的研究成果和发展趋势,并就我国光电阴极的研究提出了看法和建议。