半导体制造中的电子显微分析

集成电路的特征尺寸越来越小，电子显微分析在微电子制造中成为不可缺少、不可替代的重要分析手段。本文根据扫描电子显微镜（SEM）及透射电子显微镜（TEM）在实际分析中的特长和局限，主要就仪器分辨率与结果的精确度的问题，讨论如何将两种分析技术有机地结合起来，扬长避短，取得最佳效果。     

硅中缺陷的透射电镜观察

随着集成电路制造工艺技术的不断进步,器件线宽不断减小,硅材料中缺陷的危害越来越不可忽视.通过TEM观察了硅中氧沉积、工艺诱生缺陷等并对之进行了分析.     

用电子显微镜剖析存储器器件

简要介绍了扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)两种当前主要的电子显微分析工具在存储器器件分析过程中的应用,讨论了它们各自的适用范围以及测量精度,指出两者的有机结合可以得到比较全面的分析结果.     

用于高亮LED的Si键合研究

在Si和外延层之间使用一层薄金属层作为高效反射镜的所谓"镜面衬底",不但有助于提高芯片的出光效率,同时把键合温度降低到300℃以下。利用Au/In合金的方法,来实现用于高亮LED的Si片与AlGaInP四元外延片的键合。实验表明,在温度为250℃时,利用Au/In作为焊料,Si片与AlGaInP四元外延片可以实现比较好的键合,键合面可以达到60%。通过研磨减薄、X-ray测试和扫描电镜(SEM)测试得出键合面的界面特性,通过能谱分析得出键合面的物质分别为AuIn2和AuIn,实验测试得出此时Au的原子数占33.31%,In的原子数占36.64%。