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1.
张福甲  刘凤敏 《半导体光电》1997,18(6):375-379,425
介绍了间接跃迁的半导体AlP与GaP形成的超晶格,由于零折叠效应,实现了能带由间接带隙向直接带隙的转变,从而增加了带间的光跃迁几率,并推导了该几率的表达式。  相似文献   
2.
利用相对论小核赝势研究了重金属钋化物分子MPo(X^2Ⅱ),(M=Cu,Ag,Au).用群论方法结合原子分子反应静力学原理导出了分子的基电子状态和相应的离解极限,并在各种电子相关理论水平上计算了它们的平衡几何和振动频率.在此基础上用Murrell—Sorbie函数形式拟和势能曲线,得到了总的解析势能函数,并计算出了光谱数据和力常数.  相似文献   
3.
Si基有机异质结势垒特性的研究   总被引:6,自引:0,他引:6  
在电阻率为0.2Ω.cm的p-Si衬底上沉积了厚度为20nm的有机半导体材料四甲酸二酐(PTCDA)薄膜,由此形成有机/无机异质结。从它们的能带结构出发,通过实验测试分析了这种有机/无机半导体异质结(OIHJ)的电容-电压及电流-电压特性。  相似文献   
4.
使用相对论和非相对论赝势,在HF和MP2理论水平上研究了重金属混合/掺杂团簇(M2Te)3(M=Au, Ag, Cu) 的几何构型和稳定性.结果显示,团簇存在具有D3h,C2v和C3v对称性的三种稳定异构体,并且各异构体之间能量相差很小.电子相关效应对M-M键长的修正十分显著,而对M-Te键长和Te-M-Te键角的修正非常小.相对论效应使所有键长变短、Te-M-Te键角变大.两种效应都提高振动频率、降低能量,使团簇结构变得更加紧凑,使多聚物趋于更加稳定.  相似文献   
5.
采用溶胶-凝胶法制备了Sn0.55Ti0.55O2固溶体.用X射线衍射(XRD)、差热分析(DTA)和红外(IR)技术对材料的结构和热稳定性进行了分析表征.固溶体的热稳定性与起始反应温度有关,在40℃水浴温度下制备的凝胶经1000℃烧结,发生了相分解,出现了富Sn和富Ti相,而在80℃水浴温度下制备的凝胶经1200℃烧结也不发生相分解,仍以Sn0.55Ti0.55O2相存在,而且用差热分析也得到了同样的结论.  相似文献   
6.
近年来,钙钛矿太阳能电池因高效率、低成本等特点获得了持续的关注,但是有机成分在稳定性方面始终存在一些问题.相比于有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池,全无机钙钛矿材料可以很大程度上避免外界环境的影响,对氧环境要求低,对于湿度环境的容许度也比较大;由于自身结构,在光热稳定性方面,也要优于有机-无机杂化钙钛矿.因此,发展全无机钙...  相似文献   
7.
宋珍  欧谷平  刘凤敏 《半导体学报》2007,28(7):1009-1011
对有机/无机光电探测器PTCDA/p-Si样品表面进行AFM测试,结果表明PTCDA呈岛状生长,各岛成圆丘状,岛的分布不均匀,PTCDA层中存在大量缺陷.原因是p-Si(100)衬底的表面原子悬挂键的作用,使硅原子横向移动满足键合需要形成台阶和其他缺陷.得出PTCDA在p-Si基底上的生长模式为:PTCDA首先在缺陷处聚集,形成许多三维岛状的PTCDA晶核,然后在PTCDA离域大π键的作用下,相邻的两层PTCDA分子存在一定程度的交叠,最终形成岛状结构.  相似文献   
8.
本文采用从头算理论MP2方法研究了合金团簇(Cu In)n(n=1,2)的结构和稳定性.计算得到的双原子分子Cu In几何参数、频率和解离能跟实验数据十分吻合.(Cu In)2团簇有五个稳定结构,基态结构是具有1A1/C2v对称性的蝴蝶结构,结合能为6.57 e V.将计算结果与同族元素体系(Cu Al)2和(Cu Tl)2对比,无论是在构型上,还是在电子特性上都有相似性.文中给出了(Cu In)2稳定构型的电子结合能能谱,希望在实验上得以验证.  相似文献   
9.
水平层状介质中任意方向磁偶极子的电磁场分布   总被引:2,自引:0,他引:2  
将水平层状介质中的任意方向磁偶极子分解成水平磁偶极子(HMD)和垂直磁偶极子(VMD),给出了将VMD和HMD产生的波分解为电场矢量垂直于入射面的线形极化波(EV波)和平行于入射面的线形极化波(EP波)的方法.通过分别研究这两种波在各层介质中的反射和透射规律,导出确定各介质层中电磁波的递推公式,从而得到了任意介质层中电磁波的解析表达式.  相似文献   
10.
利用化学沉淀法制备了In2O3粉体,采用X射线衍射(XRD)的方法得到了粉体的晶体结构,颗粒尺寸为纳米量级。以In2O3为基体材料,制作了烧结型旁热式气敏元件,通过固相掺杂的办法改善元件的气敏特性。在低于100℃的工作温度下,通过对SO2,CO,CH4,Cl2,NO2五种气体的检测,发现分别以质量分数为2%PdCl2和5%CeO2为掺杂剂的元件对NO2气体均表现出较好的敏感性,对SO2,CO,CH4,Cl2四种干扰气体的灵敏度较低,表明元件具有良好的选择性。  相似文献   
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