硅化钯-P型硅肖特基势垒二极管的红外响应

硅化钯-P型硅肖特基势垒二极管是短波红外CCD和焦平面的光敏元,利用成熟的硅大规模集成电路工艺可以把它和信息处理电路做在同一芯片上,因此,易于做成高密度多象元的器件。近几年来,这种器件发展很快,性能有很大的提高。目前,人们正在发展长波硅肖特基势垒红外CCD,因此,对硅肖特基势垒二极管的光谱响应十分关注。本文对硅化     

PtSi肖脱基势垒红外焦平面光腔结构的研究

重点介绍PtSi肖脱基势垒红外焦平面光腔的介质生长技术及介质的折射率和介质层厚度对PtSi肖脱基势垒探测器性能的影响,发现适当的合金条件和减薄PtSi层厚度有利于提高探测器的量子效率,背面增加抗反射层能减少红外辐射在入射界面的能量损失.     

热释电红外焦平面初探

热释电焦平面是一种非致冷型红外焦平面，本文简述其特点，应用和发展史，介绍了器件的工作原理，从设计角度对电荷注入结构和信号读出技术等作了一些实际考虑，提出了研制中必须密切注意的若干关键性技术问题。     

32×64元硅化铂肖特基势垒红外焦平面列阵的物理设计

本文介绍了国内首见报导的32×64元硅化铂肖特基势垒红外焦平面的物理设计方法。作者从计算探测目标的辐射能量出发,综合考虑了器件的结构、材料和工艺参数,电参数,光学系统参数和响应率的非均匀性,以信嗓比作为焦平面的品质因数进行了性能优化计算。根据系统参数和现有工艺条件,预计焦平面对室温景物成象的温度分辨率优于1°K,这同器件的热象测试结果符合得相当好。     

单色微分辐射出射度

阐述了单色微分辐射出射度ＭＡλ．Ｔ及其在红外探测中所起的重要作用，计算了在１００－１０００Ｋ温度范围内的ＭＡλ．Ｔ及普适的黑体辐射曲线，研究了峰值的变化规律，提出在设计及选用有工作波段要求的红外探测器、红外光学元件和红外成像等系统时，应以单色微分辐射出射度Ｍλ．Ｔ及其峰值波长作为主要的依据，还提出了辐射出射度的小信号对比度的概念，并建议将长波红外大气窗口向短波给扩展０．２μｍ．