Helium—Charged Titanium Films Deposited by Pulsed Laser Deposition in an Electron—Cyclotron—Resonance helium Plasma Environment

Titanium thin films incorporated with helium are produced by pulsed laser deposition in an electron cyclotron resonance helium plasma environment.Helium is distributed evenly in the film and a relatively high He/Ti atomic ration(-20%) is obtained from the proton backscattering spectroscopy.This high concentration of helium leads to a surface blistering which is observed by scanning electron microsocopy.Laser repetition rate little influence on film characters.Substrate bias voltage is also changed for the helium incorporating mechanism study,and this is a helium ion implantation process during the film growth.Choosing suitable substrate bias voltage,one can avoid the damage produced by ion implantation,which is always present in general implantation case.     

面向掩模精化的表面微加工MEMS器件几何建模

MEMS器件设计流程中,为优化MEMS器件,常常需要对MEMS掩模进行精化设计.为了在MEMS精化设计中同步更新MEMS掩模与几何模型,提出一种面向掩模精化的表面微加工MEMS器件几何建模方法.该方法主要通过建立MEMS器件几何模型和工艺模型之间的依赖关系图,通过变动依赖关系,求出掩模精化所影响的几何元素,而后在几何模型中仅仅更新所影响的几何元素;对于所对应的几何模型存在拓扑突变等情况,该方法采用参数限定或局部几何模拟进行更新.实例分析表明,提出的几何建模方法能快速有效地响应掩模精化,从而有效地促进MEMS器件设计.     

选择性外延隔离P^＋多晶硅栅PMOSFET

在离子注入埋层的硅片上,以SiO_2层为掩膜和隔离,生长了选择性外延(SEG)单晶硅层,并在此外延层上制作了P~+掺杂的多晶硅栅PMOSFET。浅源漏结的P~+多晶硅栅PMOSFET是使用一次离子注入同时完成栅与源漏的掺杂注入,并由低温退火与快速热退火完成杂质的再分布推进。测试结果表明PMOSFET的短沟道效应明显减小。     

氮化铝薄膜的低温沉积

介绍了一种 ECR微波放电和脉冲激光沉积相结合低温沉积 Al N薄膜的新方法 .在 ECR氮等离子体环境中用脉冲激光烧蚀 Al靶 ,以低于 80℃的衬底温度在 Si衬底上沉积了 Al N薄膜 .结合样品表征和等离子体光谱分析 ,探讨了膜层沉积的机理 ,等离子体中活性氮物质的存在是 Al- N化合的重要因素 ,等离子体对衬底的辐照促进膜层的形成     

激光诱导等离子体中铜原子和铜离子的时空行为

通过光谱观察 ,考察了激光诱导铜等离子体的动力学过程和等离子体成分的时空行为 .不同能量的等离子体粒子 ,产生的机制不同 ,在时空演变过程中显示的行为不同 ,它们受背景气氛的影响也不同.By observing the optical emissions from copper plasma induced by laser ablationof a copper target, the dynamics of the plasma and the temporal and spatial behaviors of the plasma species are examined. The plasma is ignited from target ablation, evolves from the breakdown of the copper vapor to collisions between copper particles and energetic electrons. At the initial stage, the plasma contains large amount of copper ions and high-excited copper atoms, and then evolves to have low-energy copper...     

深入解读核心概念 有效落实教学目标——通过两则案例反思几何概型教学现状

人教版新教材必修3在概率一章中加入了“几何概型”一节,其目的应该是为了完善概率模型,以便能在高中段解释或解决更多的概率问题,确实几何概型的介入,为很多实际问题的解决提供了强有力的工具,但由于其核心概念涉及“无限”,因而对古典概型思想“根深蒂固”的教师和初涉概率思想的学生的“冲击”还是比较大的．是以对几何概型的教与学,都保持着一种“点到为止、不愿深究”的态度,     

用脉冲激光沉积方法制备氮化铝薄膜

介绍了用脉冲激光沉积 (PLD)方法制备AlN薄膜的工作 ,在Si(10 0 )衬底上得到了光滑平整、透明度高的AlN薄膜 ,由实验结果拟合得到能隙宽度为 5 7eV。考察了衬底温度和退火温度的影响。     

退火对CNx薄膜光学性质的影响

报道了退火对电子回旋共振(ECR)辅助脉)中激光溅射方法制备的CNx薄膜样品光学性质的影响，X射线衍射(XRD)结果显示CNx薄膜基本为无定形结构，但存在微量的多晶结构，拉曼散射谱显示所制备的CNx薄膜样品主要由C≡N、少量的C—C和微量的C≡N组成，随着退火温度的升高，拉曼散射谱不但在1357cm^-1附近出现了一个新峰(新峰对应无序的CN键)，而且C≡N和CN的相对含量比随着退火温度的提高大致呈先减小后增大再减小的趋势，从而证实在退火过程中部分N原子发生了迁移，椭偏仪所测量的CNx薄膜的光学常数表明退火温度对ε1、ε2、n、κ的大小和谱线的形状均产生了显著影响，结合拉曼散射谱可断定其原因为退火改变了CNx薄膜样品的内部结构和键结构，实验中得到的ε1、ε2、n、κ随光子能量的变化关系可用洛伦兹色散理论得到很好解释。     

氮化铝薄膜的低温沉积

介绍了一种ECR微波放电和脉冲激光沉积相结合低温沉积AlN薄膜的新方法.在ECR氮等离子体环境中用脉冲激光烧蚀Al靶,以低于80℃的衬底温度在Si衬底上沉积了AlN薄膜.结合样品表征和等离子体光谱分析,探讨了膜层沉积的机理,等离子体中活性氮物质的存在是Al-N化合的重要因素,等离子体对衬底的辐照促进膜层的形成.