向列液晶表面弹性能K13项的物理效应及检验方法

通过解析推导和数值计算的方法，得到了平衡态指向矢满足的微分方程和边界条件.研究了表面弹性能K13项对磁场作用下的弱锚定向列液晶盒Fréedericksz转变性质的影响.结果表明，表面弹性能K13项的存在对液晶系统的自由能有很大的影响，从而改变转变的性质，诱导液晶盒在阈值点发生一级Fréedericksz转变.给出了发生一级转变的物理条件，它除了与液晶的结构和材料有关外，还依赖于液晶表面弹性能K13项，同时给出了由此判断K13项是否存在的检验方法. 关键词： 表面弹性能K13项 弱锚定 Fréedericksz转变     

多排叶片内部流动以及叶片排与排气系统相互作用研究

本文采用高分辨率格式和多块多网格方法求解雷诺平均Navier-Stokes方程,数值模拟多排叶片内的三维粘性流动;使用数值激盘模拟叶片排的存在,研究叶片排与非轴对称排气部件之间的相互作用以及复杂的内部流动。文中描述了数值方法,给出了NASA透平导叶和单级透平内部流场的数值结果及其与相应实验结果的对比,也给出了多级透平内部流场的数值结果,以及透平与排气部件之间的耦合流场的结果。     

C_(74)的结构、电子光谱及三阶线性光学性质的理论研究

用密度泛函（DFT）方法（BLYP/3－21G~*）研究了C_(74)的稳定几何构型。用 ZINDO及ab initio GIS两种方法对C_(74)的电子光谱进行了计算，预测C_(74)在红 外区域有光谱吸收。计算了C_(74)的三阶非线性光学系数<γ>为1.483 * 10~(-32) esu，它比C_(60)的<γ>（8.84 * 10~(-34) esu）要大得多。预测C_(74)亦将是 一种有很好应用前景的磁性材料。     

Structural and electrical properties of carbon-ion-implanted ultrananocrystalline diamond films

We investigate the structural and electrical properties of carbon-ion-implanted ultrananocrystalline diamond(UNCD)films. Impedance spectroscopy measurements show that the impedance of diamond grains is relatively stable, while that of grain boundaries(GBs)(R_b) significantly increases after the C~+ implantation, and decreases with the increase in the annealing temperature(T_a) from 650℃ to 1000℃. This implies that the C~+ implantation has a more significant impact on the conductivity of GBs. Conductive atomic force microscopy demonstrates that the number of conductive sites increases in GB regions at T_a above 900℃, owing to the formation of a nanographitic phase confirmed by high-resolution transmission electronic microscopy. Visible-light Raman spectra show that resistive trans-polyacetylene oligomers desorb from GBs at T_a above 900℃, which leads to lower R_b of samples annealed at 900 and 1000℃. With the increase in T_a to 1000℃, diamond grains become smaller with longer GBs modified by a more ordered nanographitic phase, supplying more conductive sites and leading to a lower R_b.     

基于反射式太赫兹时域谱的水太赫兹光学参数测量与误差分析

利用垂直反射式太赫兹时域光谱(THz-TDS)技术 测量了水的THz光学参数并对测 量误差进行了分析。测量过程中,把高阻Si片的空气-Si表面作为参考信号,Si-水表面最 为样 品信号,通过两者之比的传输函数计算得到了水的THz折射率和吸收率,然后应用误差传 播理论分析这些光学参数的误差。结果发现,折射率和吸收率误差中,由多次测量引入的随 机 误差在0.1~1.1THz范围内基本不变,而在接近0.1THz和1.1THz处误差变大,即呈现U型 分布。这表明,在接近0.1THz和1.1THz时, THz-TDS仪器的测量灵敏度下降;由高阻Si片厚 度和Si折射率误差引入的误差比THz-TDS多次测量引入的随机误差大得多,在 0.1~1.1THz 范围对应的水折射率误差分布较均匀,而对应水的吸收率误差随着频率的增加而增大。本文 的方法同样适用于类似的垂直反射式THz-TDS系统提取其它材料的THz光学参数及其误差 分析。     

Ag3PO4量子点/石墨相氮化碳纳米片复合光催化剂的制备及其对苯甲醇选择性氧化活性

以热氧化剥离法得到的超薄石墨相氮化碳(g-C₃N₄)纳米片为载体,首次在室温条件下,制备了系列Ag₃PO₄量子点/g-C₃N₄纳米片复合光催化剂;通过透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)、荧光光谱(PL),对复合光催化剂的形貌、结构和光学性质进行了表征,考察了系列光催化剂对苯甲醇的光催化选择性氧化性能。 结果表明,粒径为3~5 nm Ag₃PO₄颗粒均匀分散g-C₃N₄纳米片上,结晶度良好。 以乙腈为溶剂时,当m(Ag₃PO₄)/m(g-C₃N₄)=0.6时,苯甲醇具有32.1%的最大转化率,对产物苯甲醛具有90%的最高选择性;活性物种捕捉实验结果表明,该催化氧化反应的主要活性物是光生空穴的氧化作用,能带计算结果表明,该复合催化剂结构具有合适的苯甲醇的氧化电位而选择性生成苯甲醛。     

简便合成3,3'-联-1,6-亚甲基桥[10]轮烯

以1,6-二甲酰基环庚三烯为原料通过10π电子环化反应等3步反应制备了3-溴代-1,6-亚甲基桥[10]轮烯, 通过3-溴代-1,6-亚甲基桥[10]轮烯的碱诱导的偶联反应, 简便地合成3,3'-联-1,6-亚甲基桥[10]轮烯, 并用NMR, MS等波谱进行了表征.     

一种新型低峰值功耗的BIST设计研究

随着手持设备的兴起和芯片对晶片测试的要求越来越高,内建自测试的功耗问题引起了越来越多人的关注。文章对目前内建自测试的可测性设计技术进行了分析,并提出了折叠种子优化降低节点峰值功耗的模型,通过调整种子结构和测试向量的相关性的办法来避免过高的SoC测试峰值功耗。采取了屏蔽无效测试模式生成、提高应用测试向量之间的相关性以及并行加载向量等综合手段来控制测试应用,使得测试时测试向量的输入跳变显著降低,从而大幅度降低节点的峰值功耗。实验结果表明,该方案可以有效地避免BIST并行执行可能带来的过高峰值功耗。     

介观物理系统中的噪声

描述了介观物理系统中噪声的研究现况. 对热噪声和散粒噪声的物理起源做了详细介绍，热噪声是系统的能态占据数发生涨落引起的，而散粒噪声源于载流子传输的微粒特性. 还介绍了研究噪声的主要理论——散射理论，并给出了其在马鞍形半导体量子线和铁磁/绝缘体/半导体双异质结两种介观系统中的应用，指出了噪声研究的实际物理意义. 关键词： 介观物理 热噪声 散粒噪声 散射理论     

集成电路低峰值功耗研究

随着手持设备的兴起和芯片对晶片测试越来越高的要求。内建自测试的功耗问题引起了越来越多人的关注，本文对目前内建自测试的可测性设计技术进行了分析。并提出了折叠种子优化降低节点峰值功耗模型，通过调整种子结构和测。试向量的相关性的办法来避免过高的SoC测试峰值功耗，采取了屏蔽无效测试模式生成、提高应用测试向量之间的相关性以及并行加载向量等综合手段来控制测试应用，使得测试时测试向量的输入跳变显著降低．从而大幅度降低节点的峰值功耗。实验结果表明。该方案可以有效地避免BIST并行执行可能带来的过高峰值功耗。