表面贴装工艺质量管理的一些体会

前言 作者在XXXX厂工作期间,对八条SMT自动线及两条THT生产线试行“线责任制”,应用日本“精益生产”(Lean Product)制造技术,使工艺质量有了很大改进,产量增加,效益提高,为工厂在1996年底顺利通过ISO9002认证打下了基础。本文简要介绍SMT制造技术管理改革的一些作法。     

为新品设计高直通率的0201的组装工艺

随着产业界要求产品越来越小，越来越轻，运行速度越来越快，对0201元件的使用逐年增加：十个0201元件所占的面积最多只占一个0402元件的三分之一。因此，可以把部件组装得更紧密，从而减小PCB板的尺寸。采用0201元件遇到的主要问题是：随着元件尺寸的减小，工艺窗口也减小了，与1206元件相比，0201的元件已表明其直立的可能性比前者要大9倍，而与0402元件相比，则共可能性要比0402元件大2点5倍。因此，在表面组装0201元件时，要更多注意设计和工艺。总的来说，现已知静态因素(如PCB板和模板设计)比工艺中的动态因素(如印刷冬数，贴装参装．回流参数)乏北影响缺陷数量：部分动态参数确实能对组装过程产生很大的影响(如在回流焊中空气与氮气环境)，但是总的来说，静态因素对可能产生的缺陷数影响要比动态因素大得多。在此研究过程中，优化组装参数和设计参数对组装参数的影响都以PPM缺陷数表示。本篇论丈中集中了研究十的数据和对元件组装时进行的多次评估户搜集的数据。首先在每一加工步骤中工艺参数，然后再对整个过程进行研究。检测的部分工艺参数包括印刷工艺中的印刷压力，印刷速度，模板擦拭频率，及回流焊气体，回流曲线和回流曲线上升速度等?从这些研究十可以得到适应高速的020l组装工艺的可靠的工艺窗口。该窗口已证叫能使DPL小于200。     

基于卓越工程师培养目标下的大学物理实验创新培养模式

针对卓越工程师的基本训练要求及社会发展的需要,以“卓越工程师”培养目标为导向,以辅助教学系统、实验数据处理系统和学生创新实践平台三大模块为依托,根据学生学习的不同阶段和知识积累过程,建立全方位、模块化、逐层深入的实验教学培养模式,把大学物理实验室建设成培养学生创新能力的重要基地.     

OH~- absorption and nonvolatile holographic storage properties in Mg:Ru:Fe:LiNbO_3 crystal as a function of Mg concentration

Mg:Ru:Fe:LiNbO3 crystals with various concentrations of MgO (in mole) and fixed content of RuO2 and Fe2O3 (in mass) are grown with the Czochralski method from the congruent melt. Their infrared transmission spectra are measured and discussed to investigate the defect structure. With the increase of Mg2+ concentration the blue nonvolatile holographic storage capability is enhanced. The nonvolatile holographic storage properties of dual-wavelength recording of Mg(7 mol%):Ru:Fe:LiNbO3 nonvolatile diffraction efficiency, response time, and nonvolatile sensitivity reach 59.8%, 70 s, and 1.04 cm/J, respectively. Comparing Mg(7 mol%):Ru:Fe:LiNbO3 with Ru:Fe:LiNbO3 crystal, the response time is shortened apparently. The nonvolatile diffraction efficiency and sensitivity are raised largely. The mechanism in blue photorefractive nonvolatile holographic storage is discussed.     

Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体位相共轭性能和全息关联存储

在同成分LiNbO3中,掺入ZnO的摩尔分数分别为1%、3%、5%、7%和9%,掺入（质量分数）0.03% MnCO3和0.08%Fe2O3,采用提拉法生长了优质Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体.测试Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体的OH-红外吸收光谱,抗光损伤能力和位相共轭性能.Zn离子浓度在7%和9%时,OH-吸收峰移到3 528 cm－1,讨论OH-吸收峰移动机理.随着Zn离子浓度增加,抗光损伤能力增加.Zn离子浓度增加到7%,达到阈值.Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体抗光损伤能力比LiNbO3晶体高二个数量级,研究高掺锌Mn∶Fe∶LiNbO3晶体抗光损伤增强机理.随着Zn离子浓度增加,Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体位相共轭反射率降低,位相共轭响应速度增加.Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体位相共轭镜消除了光波的位相畸变.以Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体作存储介质进行全息关联存储实验.讨论全息关联存储的工作原理.以原图象的25%和50%进行寻址,在输出平面上接收到较完整的存储图象.     

微电子制造工程专业课程体系建设

微电子制造工程为综合性边缘学科，它包含了机械、微电子学、精密控制、精密激光加工技术、微电子组装和封装技术、集成电路制造技术、元件检测技术等多学科的专业。学生知识面广，就业面宽，且微电子产品为国内及国外的第一大产业，人才需求大，是一个非常有发展前途的朝阳产业。它的发展得益于以下几个方面：     

响应曲面法在叠层封装结构优化中的应用

本文对八层叠层CSP封装器件进行热应力分析。结果表明,热应力集中出现在上层芯片（die8）、die7的悬置端和底层芯片（die1）与粘结剂的边角处。进一步,采用响应曲面法（RSM）与有限元分析相结合的方法研究die8、die7、die1和粘结剂厚度对器件热应力的影响。应用响应曲面法优化芯片和粘结剂的厚度以得到最小VonMises应力,其结果为106．87Mpa。与初始设计时的应力值143．9Mpa相比减小了25．7％。应力减小有助于提高封装产品的可靠性。     

2种液体间界面张力的动态测量

利用自制仪器对2种液体间界面张力进行动了动态测量,通过嵌套软件在计算机上实时记录测量过程中的电压值,避免了人工读数带来的实验测量误差,并绘制出相应的电压变化曲线.根据电压变化曲线对金属吊环在2种液体中的拉脱过程分4个阶段进行详细讨论,并通过受力分析建立了力平衡方程.以纯净水和硅油、纯净水和乙酸乙酯为样品,对其界面张力分别进行了实验测量.     

杨氏模量的实验研究

1实验装置 传统静态法对杨氏模量测量[1]的缺点是载荷大、含有弛豫过程,不能真实地反映材料内部结构的变化.在脆性材料和不同温度下的杨氏模量的测量中都会受到限制.     

导热系数测量实验中平衡温度的测量技巧

测量不良导体导热系数实验中的稳定导热条件下的温度时,在选取温度范围内通过反复升温降温的方法,即可迅速准确测得平衡温度,加快了实验速度,减小了实验测量误差。