OLED:切入时机已到 技术选择是关键

如何对待很可能成为下一代平板显示技术发展方向的AM-OLED(有源矩阵有机发光二极管)技术是近两年困扰我国FPD(平板显示)产业的一个重要问题,尤其是随着今年商用OLED电视的若隐若现,这一话题在不同场合被产业链不同人士多次提起,有关是否应该不再发展"全球性亏损的、产能过剩的"TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)产业而重点投资OLED产业的讨论更是不绝于耳。《中国电子报》在近日就此事深入采访了数位知名专家,又受液晶分会之邀参加了相关话题的专家座谈,现将几次采访的观点刊登如下,以飨读者。     

与硅平面工艺兼容的p~-/p~+型多孔硅的发光特性研究

ｐ－／ｐ＋型多孔硅电致发光器件对实现硅基光电子集成具有重要的意义，我们通过改变样品衬底的离子注入浓度和阳极氧化条件，在ｐ－／ｐ＋型单晶硅衬底上生长了不同的多孔硅样品后，在纯氧和稀氧氛围下对样品进行了８００℃高温退火处理．通过测量样品的光致发光谱，研究了样品衬底离子注入浓度，阳极氧化条件及后处理条件等对ｐ－／ｐ＋型多孔硅样品发光的影响，为研制与硅平面工艺兼容的多孔硅发光器件，提供了重要的参考设计参数和进一步改进工艺的依据     

蜂窝状堇青石上镁碱沸石和Beta分子筛的原位合成

本文报道了镁碱沸石和Beta分子筛在蜂窝状堇青石载体上的原位合成,并探讨了物料配比、晶化时间、载体预处理等因素对原位合成的影响,获得了适宜的合成条件。XRD和SEM的结果显示,使用水热法可使镁碱沸石和Beta分子筛均匀牢固地覆盖在蜂窝状堇青石载体的表面和孔道内壁。为今后使用这种新型复合材料作为汽车尾气净化催化剂打下了基础。     

多晶硅超薄沟道薄膜晶体管研制

提出了一种新结构的低温多晶硅薄膜晶体管 ( poly- Si TFT) .该 poly- Si TFT由一超薄的沟道区和厚的源漏区组成 .超薄沟道区可有效降低沟道内陷阱密度 ,而厚源漏区能保证良好的源漏接触和低的寄生电阻 .沟道区和源漏区通过一低掺杂的交叠区相连接 .该交叠区使得在较高偏置时 ,靠近漏端的沟道区电力线能充分发散 ,导致电场峰值显著降低 .模拟结果显示该TFT漏电场峰值仅是常规 TFT的一半 .实验结果表明该 TFT能获得好的电流饱和特性和高的击穿电压 .而且 ,与常规器件相比 ,该 TFT的通态电流增加了两倍 ,而最小关态电流减少了3.5倍 .     

新型亚50纳米硅栅制作技术

提出并演示了一新型的低成本亚 5 0纳米多晶硅栅制作技术 .该技术的特点是它与光刻分辨率无关 ,即不需要高分辨率光刻技术 .纳米尺度的栅掩膜图案是由台阶侧壁图形的转移所形成 .实验结果表明 ,该技术制成的硅栅的栅长由形成侧壁图形的薄膜之厚度所决定 ,大致为该厚度的 75 %— 85 % .SEM照片显示硅栅的剖面为倒梯形结构 .与其它结构 (如矩形或正梯形 )相比 ,该结构有利于减少栅电阻 .     

新型亚50纳米硅栅制作技术

提出并演示了一新型的低成本亚50纳米多晶硅栅制作技术.该技术的特点是它与光刻分辨率无关,即不需要高分辨率光刻技术.纳米尺度的栅掩膜图案是由台阶侧壁图形的转移所形成.实验结果表明,该技术制成的硅栅的栅长由形成侧壁图形的薄膜之厚度所决定,大致为该厚度的75%—85%.SEM照片显示硅栅的剖面为倒梯形结构.与其它结构(如矩形或正梯形)相比,该结构有利于减少栅电阻.     

再议气体分子运动速度

本文给出^-u=√2^-υ的又一种推导方法。     

结构磁空间群C-G系数的计算

众所周知晶体空间群的C G系数在晶体学中有重要的意义。而磁空间群的C G系数尚无人计算。本文利用磁群共表示理论构造出磁空间群的不可约表示 ,进而利用本征函数法计算了O1 0h 结构磁空间群的C G系数。     

驱动视频TFT—LCD的CMOS集成电路

北京大学微电子所于1991年4月在国内首次研制成功了用于驱动薄膜晶体管(TFT)有源矩阵液晶电视显示屏的专用GMOS集成电路。它包括栅驱动器——扫描电极总线驱动电路BDD1001和漏驱动器——信号电极总线驱动电路BDD2001两块IC。适合于驱动200线左右的TFT有源矩阵液晶电视显示屏。 用于TFT有源矩阵液晶电视显示屏的专用IC的具体结构参数、性能要求是由矩阵驱动方式、扫描方法、液晶材料的性质及电光特性、TFT的性     

多晶硅超薄沟道薄膜晶体管研制

提出了一种新结构的低温多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT).该poly-Si TFT由一超薄的沟道区和厚的源漏区组成.超薄沟道区可有效降低沟道内陷阱密度,而厚源漏区能保证良好的源漏接触和低的寄生电阻.沟道区和源漏区通过一低掺杂的交叠区相连接.该交叠区使得在较高偏置时,靠近漏端的沟道区电力线能充分发散,导致电场峰值显著降低.模拟结果显示该TFT漏电场峰值仅是常规TFT的一半.实验结果表明该TFT能获得好的电流饱和特性和高的击穿电压.而且,与常规器件相比,该TFT的通态电流增加了两倍,而最小关态电流减少了3.5倍