一种单片低相噪宽带频率合成器

基于0.18 μm SiGe BiCMOS工艺,设计实现了一种低相噪宽带锁相环型频率合成器电路,分析了锁相环型频率合成器中优化相噪和拓宽工作频率的途径和方法。提出了一种低输出噪声参考缓冲电路和高速Delta-sigma调制器结构,改进了MOS管结构的电荷泵电路,采用÷2/3级联可编程分频器结构,实现了宽工作频带。流片测试结果表明,归一化底板相位噪声达到-232.2 dBc/Hz,工作频率可覆盖1~20 GHz。     

一种应用于锁相环的线性化电荷泵电路

采用0.18 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种线性化电荷泵电路,并对线性化电荷泵原理进行了分析.基于采样保持原理的充放电电路,配合特定时序逻辑电路,实现了较优的电荷泵线性化和锁相环鉴相杂散性能.该线性化电荷泵用于锁相环的闭环测试.结果表明,与非线性化电荷泵相比,闭环100 kHz频偏处相位噪声性能提升了 9...