Electroplated indium bump arrays and the bonding reliability

A novel electroplating indium bumping process is described,as a result of which indium bump arrays with a pitch of 100μm and a diameter of 40μm were successfully prepared.UBM(under bump metallization) for indium bumping was investigated with an XRD technique.The experimental results indicate that Ti/Pt(300(?)/200(?)) has an excellent barrier effect both at room temperature and at 200℃.The bonding reliability of the indium bumps was evaluated by a shear test.Results show that the shear strength of the ind...     

倒装芯片化学镀镍/金凸点技术

本文对倒装芯片化学镀镍/金凸点技术进行了阐述。文中主要讨论了化学镀镍/金凸点的表面形貌、均匀性及其在铝电极上的附着性能等问题。     

干涉合成孔径雷达相位滤波的一种新算法

该文着重就目前国际上研究的一个热点干涉合成孔径雷达成像中的相位滤波问题进行了讨论。提出了一种新的相应滤波方法,可适应干涉条纹方向的变化,十分适用于对干涉条纹密集的区域进行滤波。通过对德国X-SAR数据的处理检验该方法的效果,结果相当理想。此外,这种方法实现起来相当简单。     

基于DDBHMM的数字语音识别

数字语音识别具有很高的识别率,具有较高的实用价值。为实现在真实噪声环境下能达到高识别率的数字语音识别系统,采用基于段长分布的隐马尔可夫模型(DDBHMM)进行了安静环境和带噪环境下,特定人和非特定人的数字语音识别试验。试验结果表明,基于DDBHMM模型的数字语音识别技术对真实非平稳噪声环境下录制的特定人和非特定人语音都具有较高识别率。     

电镀法铟凸点制备技术以及可靠性研究

铟凸点阵列通常被用于焦平面阵列与硅的读出电路间的倒装互连中。铟凸点制备技术是焦平面探测器制备的关键技术之一。本文阐述了一种基于电镀的铟凸点制备工艺流程;基于此流程,实验中成功制备出间距为100um,UBM直径为40um的16*16的焊球阵列。同时,实验中利用XRD技术对Ti/Pt对铟的阻挡性做出了研究,结果表明,Ti/Pt (300Å/200Å)在室温和200°C的温度下对铟均具有良好的阻挡性能。利用剪切力实验对铟凸点的可靠性做出了研究,实验结果表明,经过一次回流后,铟凸点的剪切有极大的变化,但之后增加回流次数,其剪切力变化不大,此现象可能与电镀铟内部的织构有关.本文也讨论了铟凸点的倒装工艺。