高分子量的枝状聚硅烷的合成与表征

根据硅氢加成反应机理设计了“顺点滴式”工艺 ,高效、低耗地合成了甲基苯乙基二氯硅烷和甲基正己基二氯硅烷 .根据Wurtz还原偶联反应原理 ,采用“预聚”和“混聚”两种工艺分别合成枝状共聚硅烷 ,发现运用“预聚”工艺可以合成分子量很高的枝状聚硅烷 .     

金属-聚哇烷-硅结构的电容-电压特性

设计了metal-polysilane-silicon(MPS)结构.首次发现MPS结构具有电容-电压(C-V)特性,许多MPS结构的C-V曲线平带电压为正,且其C-V特性与聚硅烷枝化度一致,即随着聚硅烷枝化度提高,MPS结构C-V曲线明显向电压轴正向漂移.聚硅烷MPS结构有望设计成测定聚硅烷枝化度装置.     

一种简易的CO_2脉冲激光能量计

这里介绍的脉冲CO_2激光能量计,采用机械压接触的方法使热电堆与接收片均匀而紧密接触,摒弃了传统的粘结方法,一旦接收片损坏可以很方便地更换。改变接收片涂层吸收频率,可用于其它波段激光能量测量。我们所做的能量计在φ2.5厘     

聚硅烷的合成及应用

聚硅烷以其独特的光电性质和潜在用途引起了人们极大的兴趣,成为材料科学的研究热点之一。本文拟对聚硅烷合成及应用的研究进展作简要评述。     

氧等离子体处理条件对聚硅烷制备SiO2/Si结构平带电压的影响

氧等离子体处理高阻P型（100）硅片上的聚硅烷涂层制备SiO2/Si结论。其MOS结构平带电压随氧等离子体处理时间、反应室气压、射频功率等条件的改变而变化,平带电压最小可达-0.55～-0.88V比同一环境热氧化制备的SiO2/Si结构平带电压小得多。     

聚硅烷(紫外光敏材料)的氧等离子体处理特性

红外吸收谱分析表明,聚硅烷（ＰｏｌｙｍｅｔｈｙｌＰｈｅｎｅｔｈｙｌＳｉｌａｎｅ,ＰＭＰＥＳ）在氧等离子体处理后转变成ＰＳｉＯｘ膜,ＰＳｉＯｘ中的ｘ在１．５～２之间,其高频Ｃ－Ｖ特性曲线的平带电压为正,大小与氧等离子处理条件和ＰＭＰＥＳ厚度有关．     

金属-聚硅烷-硅结构的电容－电压特性

设计了metal-polysilane-silicon (MPS)结构.首次发现MPS结构具有电容-电压（C－V）特性,许多MPS结构的C－V曲线平带电压为正,且其C－V特性与聚硅烷枝化度一致,即随着聚硅烷枝化度提高,MPS结构C－V曲线明显向电压轴正向漂移.聚硅烷MPS结构有望设计成测定聚硅烷枝化度装置.