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1.
基于微分干涉仪的新型光纤声传感器   总被引:1,自引:2,他引:1  
基于微分干涉仪原理,建立了一套新型光纤声传感器系统。对该系统进行了理论分析,建立了系统的数学模型,推导并分析了干涉仪的输出信号,并以宽频信号做声源进行了实验研究。实验结果与理论分析相吻合,解决了目前双干涉仪线性范围窄的问题,简化了信号处理电路,可使用低相干光源,并且系统不受外界缓变因素的影响,对宽频声源定位的误差小于1%。  相似文献   
2.
测量了由全息干板得到的明胶-银颗粒复合物样品的远红外吸收光谱,用EMA理论计算的结果与测量结果一致.  相似文献   
3.
本文首次在实验上对单纵模,多横模连续CO2激光器由注入信号所引起的非稳性进行了研究。观察到了系统输出的频率漂移和混沌运转等现象,利用微分重建相空间图方法观察了到了在光注入的条件下混沌态所对应的奇怪吸引子,并对由注入光引起的非稳性的物理机制进讨论。  相似文献   
4.
偏心和倾斜光学系统的像差特性   总被引:7,自引:5,他引:2  
杨新军  王肇圻  母国光  傅汝廉 《光子学报》2005,34(11):1658-1662
运用一种新的分析偏心和倾斜光学系统初级像差特性的方法—矢量像差理论,分析了具有较大交叉倾斜角的平行平板光学系统和具有较大倾斜角的光楔光学系统的像差特性.通过ZEMAX光学设计软件像差分析功能中的垂轴像差曲线、场曲曲线和点列图加以比较,两者非常吻合,证明该理论可以对具有较大倾斜元件的非共轴光学系统设计起指导作用.  相似文献   
5.
采用300W准连续激光二极管阵列LDA端面泵浦Nd:YAG晶体,微柱透镜和透镜导管耦合,Cr4 :YAG可饱和吸收体被动调Q,实现调Q脉冲输出,激光腔长4.5cm,Cr4 :YAG晶体初始透过率Tcr=73.2%,泵浦能量63.48mJ,输出单脉冲激光,脉冲宽度10ns,单脉冲能量3.42mJ,输出脉冲被调制并产生明显尾脉冲现象,分析了原因,说明调制脉冲是由于空间电磁辐射干扰,Cr4 :YAG晶体的慢恢复可饱和吸收特性导致尾脉冲产生。  相似文献   
6.
红外折/衍混杂f-theta镜研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
根据现代红外激光扫描系统的需求,分别设计了工作于808 nm~1064 nm波段和1064 nm~1500 nm波段的折/衍混杂f-theta系统.系统分别由三片镜和四片镜组成,激光扫描范围分别为100 mm×100 mm和60 mm×60 mm.此二系统相配合,可以完成在808 nm~1500 nm波长范围的激光扫描工作.点列图分析表明,输出光斑质量优良均匀,在0视场、0.7视场、和全视场光斑均接近衍射极限.像差分析表明,系统最大色差为26 μm,最大场曲小于0.3 mm,最大f-theta误差小于0.03%.满足现代多工作波长、高精度激光打标机的实际需求.  相似文献   
7.
利用法拉第旋转镜(FRM)把Sagnac光纤干涉仪的环形光纤臂改成单臂直线结构的新型零程差干涉仪,克服了传统Sagnac光纤干涉仪结构上的缺点。另外,FRM作为偏振补偿器解决了偏振诱导信号衰弱问题。对该装置进行了理论分析,并以管道的泄漏声为例进行了实验研究,实验结果与理论分析相吻合,定位误差小于1%,表明该装置可以实现宽频声信号源的定位。  相似文献   
8.
透镜导管的优化设计   总被引:1,自引:1,他引:0  
针对透镜导管出射光线发散角较大的问题,对其结构进行了优化设计。用光线追迹的方法给出了透镜导管的传输规律,通过计算机模拟得到其最佳参数。结果表明,优化后的透镜导管较好地均衡了面阵激光二极管阵列(LDA)出射的快慢轴2个方向上不匹配的拉格朗日不变量,改善了其空间分布不连续的状况,近场输出为近高斯型的场分布,从透镜导管端面出射的激光束发散角为37°,传输效率高达90%。实验结果和理论分析吻合。  相似文献   
9.
吴环宝  王肇圻  傅汝廉  孙强 《光子学报》2007,36(8):1435-1438
根据半导体激光器发射波长的范围和谐衍射透镜的特点,讨论了含有谐衍射光学元件的混合f-theta镜的设计.将谐衍射面型引入到半导体激光器及Nd:YAG激光器打标镜的设计中,使用普通的光学材料,使系统在0.8-1.5 μm波段内很好地校正了各种单色像差和色差,在各个分立波长上系统的光学传递函数接近或达到衍射极限.系统结构紧凑、片数少、兼容性好、具有良好的像差特性,适用于半导体激光器及Nd:YAG激光器打标系统.  相似文献   
10.
用脉冲激光二极管阵列(LDA)作为泵浦源、微柱透镜阵列和透镜导管作为耦合系统,以As+注入GaAs可饱和吸收片作为被动调Q锁模元件,实现了Nd∶YVO4激光器调Q锁模运转.调Q运转阶段,激光器每泵浦脉宽内输出一个调Q脉冲,调Q脉宽7ns.调Q锁模运转阶段,初始透过率60%的GaAs晶片对调Q包络内的锁模脉冲的调制深度达到95%以上,锁模脉冲重复频率991 MHz.研究了加在LDA上的电压、方波脉冲的脉宽和重复频率对调Q锁模脉冲特性的影响,并对实验结果进行了讨论.  相似文献   
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