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1.
该文基于掺钪AlN薄膜制备了高次谐波体声波谐振器(HBAR),研究了钪(Sc)掺杂浓度对AlN压电薄膜材料特性及器件性能的影响。研究表明,当掺入Sc的摩尔分数从0增加到25%时,压电应力系数e33增加、刚度 下降,导致Al1-xScxN压电薄膜的机电耦合系数 从5.6%提升至15.8%,从而使HBAR器件的有效机电耦合系数 提升了3倍。同时,当Sc掺杂摩尔分数达25%时,Al1-xScxN(x为Sc掺杂摩尔分数)压电薄膜的声速下降13%,声学损耗提高,导致HBAR器件的谐振频率和品质因数降低。 相似文献
2.
3.
1x EV-DV的可用性及其改进方案研究 总被引:3,自引:2,他引:1
文章给出一种可行的利用码分多址实现cdma2000 1x和1x EV-Do同频点兼容的方法。使用该方法可10倍提高小区内的下行信道频谱利用率,使这种CDMA/TDMA系统的容量基本等于双频点cdma2000 1x和1x EV-Do系统的和。这种方法避免了1x EV- Do系统需设置专用频点的问题,大幅提升了900MHz优质稀缺车载移动通信频段的频谱利用率,改进了cdma2000 1x标准上下行容量基本对称的技术缺陷,更加符合移动因特网的需求。 相似文献
4.
5.
铝互连线的电迁移问题历来是微电子产业的研究热点,其面临的电迁移可靠性挑战也是芯片制造业最持久和最重要的挑战之一.从20世纪90年代开始,超深亚微米(特征尺寸≤0.18 μm)铝互连技术面临了更加复杂的电迁移可靠性问题.从电迁移理论出发,分析概括了铝互连电迁移问题的研究方法,总结了上世纪至今关于铝互连电迁移问题的主要经验;最后结合已知的结论和目前芯片制造业现状,分析了当前超深亚微米铝互连线电迁移可靠性挑战的原因和表现形式,提出了解决这些问题的总方向.
关键词:
电迁移
铝互连
微结构 相似文献
6.
Effect of Ag Doping on Optical and Electrical Properties of ZnO Thin Films 总被引:1,自引:0,他引:1
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ZnO thin films were prepared on p-type Si (100) substrates by the sol-gel process. The influence of Ag doping at a content of 0.002% on the photoluminescence and current-voltage (I - V) characteristics of ZnO thin films has been investigated. It is found that Ag doping leads to a pronounced increase in the intensity of near band edge emission at 3.23eV and a remarkable red shift of the visible broadband at room temperature. The I - V characteristics of ZnO/p-Si heterojunctions are also changed. These results could be explained by Ag substituting for Zn in Ag doped ZnO thin films. 相似文献
7.
管理中的Nash平衡与Braess悖论现象 总被引:3,自引:0,他引:3
本给出了交通规划、经济贸易以及其它管理中的一些Nash平衡和Braess悖论实例,分析了Nash平衡和Braess悖论现象及其本质特征,指出它们在管理工作中具有普遗性和潜在应用性。 相似文献
8.
In this paper, we are concerned with the initial and boundary value problem for the following equations not in divergence form: 相似文献
9.
10.
基于一个描述夸克胶子火柱演化的相对论流体力学模型,研究了夸克相、强子相互作用以及非热过程(DrellYan对、粲强子衰变)的中等质量双轻子的产生.发现由于相边对夸克胶子物质演化的影响和RHIC能量核碰撞产生的夸克胶子物质具有高的初始温度,夸克相对双轻子的贡献显著增强,比那些来自强子相互作用的贡献重要,甚至能与来自非热的贡献比较.表明中等质量双轻子的增强是一个在核碰撞中产生了夸克胶子物质的可能信号.
关键词:
夸克-胶子物质
双轻子增强
相对论流体力学模型 相似文献