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1.
采用0.5 μm 40 V BCD工艺,实现了一款基于固定关断时间控制模式的升压型直流-直流转换器.采取了输出电压双路反馈的方式,既提高了瞬态响应速度,也简化了补偿网络的设计.同时提出了一种新型的频率控制电路,克服了固定关断时间控制模式开关频率不固定的缺点.测试结果表明,当芯片输人电压为5 V,输出电压为15 V时,峰...  相似文献   
2.
采用SMIC 0.13μm CMOS工艺,设计实现了开关频率达到250 MHz,单片集成的降压型电源转换器。为了提高电源转换效率,该转换器中的片上电感采用非对称性设计方法,提高了电感的品质因数。采用了高密度片上滤波电容来稳定输出电压,同时对单位电容尺寸的优化设计减小了电容的等效串联电阻以及输出电压纹波。测试结果表明,芯片输入电压为3.3 V,当输出2.5 V电压时,峰值效率达到了80%,最大输出电流达到270 mA;当输出1.8 V电压时,峰值效率达到了70%,最大输出电流达到400 mA。  相似文献   
3.
详细分析并实现一种改进的片上全集成低压差线性稳压器(LDO),其负载电容为7nF片上电容,且在0~50 mA电流负载范围下具有很好的稳定性.电路通过电压负反馈环控制降低输出等效负载电阻,并且采用了自适应极点调节方法以确保环路的稳定性.通过快通环路和高增益环路的混合控制,既能保证高的低频增益,又能满足快速响应的要求.该L...  相似文献   
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