示差脉冲伏安法测定乳酸脱氢酶活性及纳米微粒生物毒性检测新方法研究

采用示差脉冲伏安法，在乳酸脱氢酶(LDH)酶促体系“丙酮酸盐 + NADH +H⁺ (?) 乳酸盐 + NAD⁺”中，通过检测NAD⁺还原峰电流的变化，测定了不同条件下(不同酶用量、缓冲液pH值以及温度)LDH的活性、酶促体系的米氏常数K_m^NADH以及最大反应速率v_max。并且在最佳实验条件下，通过检测LDH活性的改变，实验考察了3种纳米物质(ZnS，TiO₂(R)和TiO₂(A))对乳酸脱氢酶酶促体系的影响。     

肿瘤热疗用锰锌铁氧体磁性纳米粒的制备及表征

以硫酸盐为原料,氢氧化钠为沉淀剂制备了不同化学组成的纳米级锰锌铁氧体,采用X射线衍射分析（XRD）、透射电镜（TEM）及热重分析系统对其进行表征;并探讨了在20℃室温,200kHz的交变磁场下锰锌铁氧体磁流体热效应情况。实验结果表明：制备的锰锌铁氧体为尖晶石结构,圆形,平均粒径在50nm左右,粒度较均匀,居里温度随Zn^2＋含量的增加而降低;其在交变磁场作用下具有明显的热效应,升温可至肿瘤热疗的有效温度范围;且升温的速度及恒定时的温度与锰锌铁氧体的含量、磁场强度有关,含量高,场强大,升温速度快,恒定温度高;另外,在其它条件相同时,恒定时所能达到的温度随Zn^2＋含量的增加而降低。本研究为肿瘤热疗的控温、恒温奠定了基础。     

磷矿及磷肥中氧化钙测定方法改进

为了解决磷矿及磷肥中氧化钙酸溶不完全和消除测定过程中磷酸根、镁、铁等的干扰,对磷矿和磷肥中氧化钙的测定方法进行改进.对不同酸溶解体系选择、酸用量、加热时间、干扰掩蔽实验、pH值等条件进行实验,确定采用10 mL王水、3 mL氢氟酸分解试样,加入2 mL盐酸溶解盐类,加入10 mL糊精和5 mL三乙醇胺溶液掩蔽Mg2+、...     

肿瘤热疗用Fe3O4磁性纳米粒的制备及表征

用化学共沉淀法制备用于肿瘤磁流体热疗的Fe3O4磁性纳米粒子并对其进行表征。运用透射电子显微镜、X射线衍射分析、扫描电子显微镜、能谱分析及图像分析等技术进行特性研究;在高频交变磁场下观察Fe3O4纳米磁流体的体外升温情况。制备的Fe3O4磁性纳米粒子属尖晶石型铁氧体、圆形,粒径20nm左右。其不同浓度的磁流体在高频交变磁场下可升温至37℃～56℃。     

基于多线程技术的智能小区管理服务系统构建

设计并实现了一个由485网络构成的智能小区数据采集、控制及管理服务系统,该系统能实现抄表、安防和物业管理等功能,对该系统的整体结构做了介绍,并讨论了中心主机管理服务系统软件的两大模块——通信引擎和管理平台,其中详细分析了多线程技术在通信引擎中的重要作用．     

丙酮酸在悬汞电极上的电化学行为及其与Al髥的相互作用

研究了酸性、中性、碱性范围内丙酮酸在悬汞电极上的电化学行为,对实验条件进行了优化,在最佳条件下丙酮酸的还原峰电流和浓度有良好的线性关系。同时在不同pH值条件下研究了Al髥和丙酮酸的相互作用,结果表明,不同pH值范围内Al髥和丙酮酸的相互作用均为弱作用,弱作用强度为酸性>碱性>中性。这种作用强度的差别可能来自于不同条件下Al髥的存在形态不同。     

丙酮酸在悬汞电极上的电化学行为及其与Al(Ⅲ)的相互作用

研究了酸性、中性、碱性范围内丙酮酸在悬汞电极上的电化学行为，对实验条件进行了优化，在最佳条件下丙酮酸的还原峰电流和浓度有良好的线性关系。同时在不同pH值条件下研究了Al(Ⅲ)和丙酮酸的相互作用，结果表明，不同pH值范围内Al(Ⅲ)和丙酮酸的相互作用均为弱作用，弱作用强度为酸性>碱性>中性。这种作用强度的差别可能来自于不同条件下Al(Ⅲ)的存在形态不同。     

无线传感器网络的自身定位算法研究

自身定位算法在无线传感器网络技术的目标定位和跟踪等方面起着举足轻重的作用,而算法的优劣直接影响着自身定位和目标定位的精度．以传统的DV-hop算法为依据,提出了一种WDH（Weighted-DV-hop）定位算法,在获得跳数的步骤中,根据接收到的传播信号区分强弱程度,并取0．d．5或1作为跳数递增量的加权修正值,来得到新的跳数．最后通过Matlab平台实现算法的验证,表明其可以明显地提高定位的精度．     

丙酮酸在悬汞电极上的电化学行为及其与AI（Ⅲ）的相互作用

研究了酸性、中性、碱性范嗣内丙酮酸在悬汞电极上的电化学行为．对实验条件进行了优化．在最佳条件下丙酮酸的还原峰电流和浓度有良好的线性关系。同时在不同pH值条件下研究了AI（Ⅲ）和丙酮酸的相互作用，结果表明，不同pH值范围内AI（Ⅲ）和丙酮酸的相互作用均为弱作用，弱作用强度为酸性〉碱性〉中性。这种作用强度的差别可能来自于不同条件下AI（Ⅲ）的存在形态不同．     

基于沟长偏置的近阈值逻辑漏功耗减小技术

随着集成电路芯片特征尺寸的不断缩小,减小漏功耗已成为集成电路设计技术的焦点之一.在近阈值逻辑电路中,亚阈值漏电流是其最主要漏电流的构成.根据MOS器件沟道长度与亚阈值漏电流之间的非线性关系,通过适度提高MOS器件的沟道长度从而降低CMOS逻辑电路的漏功耗,形成了基于沟长偏置的漏功耗减小技术.应用HSPICE软件对基于45nm PTM工艺参数沟长偏置为8%的基本逻辑门电路、镜像加法器和传输门加法器的漏电流进行了仿真测试,实验结果表明漏电流约下降了39%～44%.因此沟长偏置技术是一种有效的适用于近阈值逻辑的漏功耗减小技术.