寄生电感对低压增强型GaN HEMT开关行为的影响

寄生电感是影响功率管开关特性的重要因素之一,开关频率越高,寄生电感对低压增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的开关行为影响越深,使其无法发挥高速开关的性能优势。通过建立数学模型,理论分析了考虑各部分寄生电感后增强型GaN HEMT的开关过程,并推导了各阶段的持续时间和影响因素,然后通过建立双脉冲测试平台,对各部分寄生电感对开关特性的具体影响进行了实验验证。实验结果表明,寄生电感会使开关过程中的电流、电压出现振荡,影响开关速度和可靠性,并且各部分寄生电感对增强型GaN HEMT的开关过程影响程度不同,在实际PCB布局受到物理限制时,需要根据设计目标优化布局,合理分配各部分寄生电感以获得最优的开关性能。     

一种新型超级联碳化硅结型场效应管

提出了一种改进型超级联碳化硅结型场效应管。首先从传统超级联碳化硅结型场效应管入手,分析了其缺陷和不足之处。然后阐述了改进型超级联碳化硅结型场效应管的内部结构和工作原理,给出了元器件选择的依据与方法。对改进型超级联碳化硅结型场效应管的导通和开关特性进行了测试,实验测试得出改进型超级联碳化硅结型场效应管的阻断电压超过4500V,25℃时开关时间小于80ns,开关损耗约为15mJ,具有良好的开关特性。     

降压/升压DC-DC转换器四开关控制方法

便携式电子应用设备常常要求它的系统电压,介于电池充分充电的电压和未充分放电的电压范围之间。比如,对于锂离子电池,当输入为2．8伏到4．2伏时,输出为3．3伏。达到这种要求最佳的解决方法就是高效率、同相的四开关拓扑结构的降压／升压DC-DC转换器,这种方法利用一种控制方案,它可以实现降压、降压／升压、升压三种模式自动并且平稳地转换。经HSPICE仿真,采用Hynix0．5um 5VCMOS工艺,在输入电压2．5～5．5V、输出电压3．3V、频率1MHz时,效率高达95％以上。是输出电压处于电池电压范围内的单节锂离子电池、多节碱性电池或NiMH电池应用的理想选择,解决了在便携式电子设备电源设计过程中所遇到的问题。     

一种新型的常通型GaN HEMT器件

对新型常通型GaN HEMT器件的特性和参数进行了研究。阐述了其静态特性、动态特性及电流崩塌问题。针对其动态特性,与相近规格的Si MOSFET器件（TK2Q60D）在开通、关断时间与栅源电压的关系方面进行了对比,探讨了常通型GaN HEMT器件在不同输入电压和不同开关频率下的电流崩塌现象,并采用Boost电路,对常通型GaN HEMT器件和Si MOSFET器件的最高工作频率能力进行了对比。实验结果表明,常通型GaN HEMT器件具有更高的工作频率,且工作频率的升高不影响电流崩塌现象。