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1.
该文基于掺钪AlN薄膜制备了高次谐波体声波谐振器(HBAR),研究了钪(Sc)掺杂浓度对AlN压电薄膜材料特性及器件性能的影响。研究表明,当掺入Sc的摩尔分数从0增加到25%时,压电应力系数e33增加、刚度 下降,导致Al1-xScxN压电薄膜的机电耦合系数 从5.6%提升至15.8%,从而使HBAR器件的有效机电耦合系数 提升了3倍。同时,当Sc掺杂摩尔分数达25%时,Al1-xScxN(x为Sc掺杂摩尔分数)压电薄膜的声速下降13%,声学损耗提高,导致HBAR器件的谐振频率和品质因数降低。 相似文献
2.
磁控溅射技术制备ZnO透光薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
采用RF磁控溅射方法,在玻璃衬底上制备了择优取向的ZnO薄膜;通过台阶仪、X射线衍射技术、原子力显微镜和分光光度计分别测量了不同溅射功率条件下淀积的ZnO薄膜厚度(淀积速率)、结晶质量、表面形貌与粗糙度、透光光谱,报道了该薄膜结晶质量、薄膜粗糙度与其在可见光区透光率的关系. 相似文献
3.
4.
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6.
采用5d-4f跃迁的稀土Ce3+-冠醚配合物(Ce-二环己基并-18-冠-6,Ce-DC18C6)作为发光掺杂剂,4,4'-二(9-咔唑基)联苯(CBP)为基质,设计制备了紫外发光器件:ITO/CuPc/Ce-DC18C6:CBP/Bu-PBD/LiF/Al,首次观测到峰位于376nm的Ce3+离子的紫外电致发光。通过对比器件的EL谱与Ce3+-冠醚配合物薄膜的PL谱发现,EL光谱中有部分来自Ce3+配合物中的Ce3+离子的。这种5d-4f电子跃迁的掺杂质量分数为3%时,该UV-发光器件的最大辐射功率为13μW/cm2。 相似文献
7.
1997年1月10日.南通市人民政府在雄伟庄严的人民大会堂举行’97北京信息高速公路“最后100米”国产化战略研讨会。江苏中天光缆集团研制生产的我国第一报数字通信用对绞对称策5类电缆首次亮相人民大会堂引起轰动。出席研讨会的有财政部、邮电部、电子部、广电部、电力部、铁道部、建设部、总参通信部等部委的有关领导同志,北京大学、清华大学、北京邮电大学等大专院校和科研单位的专家学者及四通、联想、长城、惠普等著名电脑网络公司的专业负责人。研讨会上,邮电部数据通信产品质量监督检测中心主任、中国光电线缆行业协会理事长、邮电… 相似文献
8.
移动数据增值业务运营现状及新一代增值业务平台OSE 总被引:3,自引:1,他引:2
1 前言短信的成功得益于成功的商业模式。在当前短信业务的运营中,已形成了一条包括SP/CP、网络运营商、设备提供商、终端提供商和用户在内的闭合价值链,并向世人展示了这种多元经营、开放业务提供的巨大魅力。但在短信业务的经营中,也充分暴露出现有系统的诸多先天缺陷,如缺乏在开放环境中对SP有效监管的技术手段、不能适应灵活的商业模式、增值业务开发难度大、业务推广困难等一系列问题。短信业务的成功也诱发了移动运营商进行网络建设的热情,随着GPRS、CDMA 1X网络的建成与商用,传输速率得到很大提升,已可以提供多媒体消息、多媒… 相似文献
9.
GoTa的含义是开放式集群架构(Global open Trunking architecture)。由于基于先进的CDMA技术,与一般TDMA集群系统相比,频谱利用率高,容量大。GoTa系统业务性能好,话音质量高,能够保证今后持续的技术发展能力和业务拓展空间,适应今后向3G业务和网络的平滑演进。 相似文献
10.