射频衬底偏压溅射TLMM薄膜电容器

在五氧化二钽介质薄膜上复合一层二氧化铅掺杂二氧化锰的半导体薄膜首次制作成功了TLMM薄膜电容器。由于应用射频衬底偏压溅射和Al占93％的钽铝下电极,还应用了在PbO_2中掺杂MnO_2,以及真空充氧热老化等方法,不仅使电容器的损耗角正切值降低至0.1—0.3％(1kHz),而且温度系数也得到了改善。     

二次锂电池电极材料非晶态MoS_3的结构研究

用X射线衍射和光电子能谱分析方法研究了二次锂电池电极材料非晶态MoS_3的结构。结果表明,非晶态MoS_3的结构是由MoS_2基本结构单元S—Mo—S夹心层与无定形S_n链的均匀混合无序堆垛而成。     

氧化物系碱度的ESCA研究

氧化物系的酸碱性至今尚无一套完整的标度。Duffy等根据Pb~(2+)等离子(d~(10)s~2组态)在氧化物玻璃系中的Rydberg跃迁提出光学碱度的概念,但这种碱度测量只适用于对紫外光透明的少数体系。Imagawa则根据Cu~(2+)在碱金属硼酸盐等玻璃系中的ESR谱变化而提出另一种碱度。     

INTERDIFFUSION OF THE p-InP WITH Au-Zn,Ti/Au,Pd/Au,Ti/Pd/Au AT INTERFACE AND THEIR ELECTRICAL PROPERTIES

In this report,the interdiffusion between the p-InP with Au-Zn,Ti/Au,Pd/Au and Ti/Pd/Au atinterface have been investigated by Auger electron spectroscopy and electron spectroscopy for chemicalanalysis.The surface morphology for the heat treatment are observed with scanning electron microscopy.It is found that the indiffusion of Au is easier than that of Pd and Ti and the outdiffusion of In is easierthan that of P.The combination state of In and Au is formed during the heat treatment of p-InP/Au-Zn.The effects of the alloying temperature and time on the specific contacts resistance of p-InP/Au-Zn systemare studided.The low specific contact resistance,p_c=2.4-2.7×10~(-4)Ω-cm~2,is obtained when alloying at450℃ for 2 min or at 350℃ for 30 min.These results indicate that the specific contact resistance strongly depend on the“interdiffusiondegree”.The Zn in Au-Zn ahoy distributes onto the most surface layer of p-InP/Au-Zn system duringevaporation process and heat treatment.It may be one of the reasons for the higher specific contactsresistance.     

p-InP与Au-Zn、Ti/Au、Pd/Au和Ti/Pd/Au接触时的界面性质和电学特性

本文用俄歇电子能谱和扫描电子显微镜等方法研究了p-InP与Au-Zn,Ti/Au,Pd/Au和Ti/Pd/Au接触在热处理过程中的互扩散现象.结果表明:Au较Ti、Pd易向p-InP内扩散。研究了 p-InP/Au-Zn体系的合金化条件对比接触电阻(c)的影响。在 450℃热处理12 min或在 350℃热处理30 min,均可得到较低的比接触电阻,这表明界面处的互扩散程度是决定比接触电阻的重要因素。Au-Zn合金在蒸发和热处理的过程中,Zn趋向于凝集在最表面层,而不能充分发挥它在InP中的受主作用,这是该体系的c值偏高的原因之一。     

GaAs表面处理及其椭圆偏振仪、俄歇电子能谱与X-光电子谱的特性测定

用椭圆偏振仪、俄歇电子能谱仪(AES)和X-光电子谱仪(XPS)等对经pH=7±0.05的H_2O_2-NH_40H溶液化学腐蚀或用NH_4OH:H_20=1:10和HCl:H_2O=1:1进行清洗后的GaAs表面残余氧化层厚度、折射率、纵向组分分布和Ga(3d)与As(3d)结合能变化等进行测定.三者实验结果对应很好.化学腐蚀后的GaAs表面有一层氧化物层,然后是氧化物与GaAs混合的过渡层,直至GaAs衬底.从NH_4OH:H_2O=1:10清洗后GaAs表面残余氧化层厚度,表面C吸附量和Ga/As的波动看,它均比用HCl:H_2O=1:1清洗为优,故用它作为GaAs在化学腐蚀后的清洗是可取的.     

二次锂电池电极材料非晶态MoS3的结构研究

用X射线衍射和光电子能谱分析方法研究了二次锂电池电极材料非晶态MoS₃的结构。结果表明,非晶态MoS₃的结构是由MoS₂基本结构单元S—Mo—S夹心层与无定形S_n链的均匀混合无序堆垛而成。 关键词：     

钾泡的场致发射图象——FEM的新应用

一、引言 由于近年来电子技术与超高真空技术的迅速发展,出现了一系列的表面分析仪器,例:离子探针显微分析仪,俄歇电子能谱仪,x射线光电子谱,场致显微镜。它们的出现一方面推动了凝聚态物理、固体物理、表面科学理论方面的发展,另一方面由于它们的应用也给材料科学的研究灌输了新鲜血液。     

p-GaAs,p-InP与Cr/Au系界面的互扩散及其电学特性

本文用AES,SEM等方法研究了p-GaAs/Cr/Au和p-InP/Cr/Au体系界面,在热处理过程中的互扩散现象。用SEM观察了热处理后的表面形貌。并给出了合金化温度对比接触电阻(ρc)的影响。结果表明:对p-GaAs/Cr/Au体系在450℃热处理过程中未发生明显的互扩散,Cr层对Au的内扩散有较好的阻挡作用。该系的ρc=6～8×10-5Ω·cm2。在GaAlAs/GaAs DHLED器件中用Cr/Au作p面电极材料,在高电流密度下经5000小时工作后,器件的I-V特性未发生退化,表明该电极的热稳定性好,而p-InP/Cr/Au体系在蒸发和热处理过程中,已有明显的互扩散发生,ρc值也较高,该系不宜作p-InP/InGaAsP发光器件的p面电极材料。