表面接枝含氟苯乙烯共聚物的聚酯薄膜制备与表征

利用表面引发原子转移自由基聚合(SI-ATRP)在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜表面接枝苯乙烯和4-氟苯乙烯的共聚物.研究不同反应时间和不同配比下接枝共聚物对聚酯薄膜表面组成、结构和性能的影响.通过傅利叶变换红外光谱仪(ATR/FTIR),X-射线光电子能谱仪(XPS),凝胶渗透色谱(GPC)和扫描电子显微镜(SEM)对接枝改性前后PET薄膜的表面组成,结构和形貌进行分析;利用接触角测试和表面能计算对比研究接枝改性前后PET薄膜的表面性能.结果表明反应时间和单体百分含量对接枝百分率及接触角有一定的影响,随着反应时间的增长,聚酯薄膜表面接枝百分率增大,接触角增加,表面自由能下降.     

氢键作用对端羟基超支化聚酯熔体流变性能的影响

以三羟甲基丙烷(TMP)为核,二羟甲基丙酸(DMPA)为支化单体,通过熔融缩聚法合成了第一至五代端羟基脂肪族超支化聚酯,采用旋转流变仪系统地研究了氢键作用对端羟基超支化聚酯熔体流变性能的影响.结果表明,与高代数超支化聚酯相比,低代数超支化聚酯的线性黏弹区较窄,松弛时间更长.无论是稳态剪切测试还是振荡测试,第一、二代端羟基超支化聚酯熔体均表现出假塑性流体的剪切变稀行为,而第三至五代端羟基超支化聚酯熔体则表现为牛顿流体的流变行为.端羟基超支化聚酯的流变行为均不遵循Cox-Merz方程.温度谱的测定发现,低代数超支化聚酯相对于高代数的结晶度更高.流变测试中所出现的现象都与分子间的氢键作用密切相关.     

原子力显微镜在高分子物理实验教学中的应用

原子力显微镜主要用来表征样品的表面结构与形貌,操作容易、简便,分辨能力可达到纳米级别,是目前对材料分析与纳米科技研究的重要工具之一.以聚合物的支化结构、聚氨酯的微相分离结构、聚合物的结晶熔融行为和流延法单向拉伸制备高密度聚乙烯微孔膜4个实验为例,将原子力显微镜运用于高分子物理实验教学中,以更好地阐明聚合物结构与性能之间的关系,使学生可以更好地理解相关高分子物理的基本概念和理论,同时使他们分析和解决问题的能力得到提升.     

金属纳米颗粒双圆环阵列的表面格点共振效应

由金属纳米粒子构成的周期性规则阵列,可以通过粒子间的耦合来激发表面格点共振效应,从而极大压缩单粒子的局域表面等离子体共振效应的线宽.本文将该表面格点共振效应从二维周期性结构推广到轴对称的圆环结构中,提出了双圆环金属纳米粒子阵列结构的电磁响应模型.在此基础上,得到了双圆环阵列发生表面格点共振效应的条件,并发现当阵列结构参数满足特定条件时,该阵列的所有偶极子分量会发生集体共振效应,从而获得极高的近场增强因子.     

微型姿态方位参考系统的设计

微型姿态方位参考系统基于stm32单片机和MEMS传感器的实时姿态测量系统。由stm32通过iic总线采集陀螺仪、加速度计、电子罗盘原始数据,利用互补滤波算法进行数据融合,采用四元数进行姿态更新并通过串口或spi总线实时输出姿态数据。     

聚苯乙烯/聚乙烯的反应性挤出共混

多官能团单体;聚苯乙烯/聚乙烯的反应性挤出共混     

交联低密度聚乙烯交联程度表征方法的研究

硅烷交联法和过氧化物交联法是聚乙烯交联改性的两种重要方法［１］,以往的文献上通常都以凝胶含量来表征这两种方法制备的交联产物的交联程度［２～６］,但是在实践中我们发现,凝胶含量基本相同的硅烷交联聚乙烯和过氧化物交联聚乙烯的性能存在着很大的差异,例如在７０℃的二甲苯中凝胶含量为６２％的过氧化物交联低密度聚乙烯（ＬＤＰＥ）的平衡溶胀比是相同凝胶含量的硅烷交联ＬＤＰＥ的４倍,１５０℃时凝胶含量为７０％的硅烷交联聚乙烯的热延伸率比相同凝胶含量的过氧化物交联聚乙烯小三倍,而且二者的结晶行为和结晶度也有很大的…     

硅烷接枝聚乙烯储存稳定性的研究

利用熔体流动速率测定仪进行了硅烷接枝聚乙烯的水解缩合交联反应的加速试验,发现该反应对水分浓度为一级反应,反应的表现活化能４２ｋＪ／ｍｏｌ,由此可推算Ａ组份的保存期。当催化剂存在时,水解缩合反应明显加快,这时的表观活化能降到２０ｋＪ／ｍｏｌ。     

基于遍历迭代边缘检测的太阳跟踪仪设计

针对光电式太阳跟踪适应性差的问题，设计了一种改进的光电式太阳跟踪仪，以设计的光筒式CMOS传感器采集 太阳图像，采用基于迭代计算的连通域标记技术以及边缘遍历迭代算法准确提取太阳轮廓信息及太阳质心位置，并通过STM32控制双轴转台绕赤纬轴和时角轴转动，以平行四边形机构设计遮光装置，采用同步带方式与跟踪装置联动，实现太阳跟踪，系统时角轴和赤纬轴方向位置误差标准差分别为 0.247°和0.295°，能够适应多云天气对太阳的准确跟踪。     

注入氧形成的SOI结构中氧分布的模拟

我们提出了一个用于模拟SIMOX注入分布的经验公式,用此公式对某些氧注入分布进行了模拟,其结果与有关理论计算及实验值相比符合较好.我们的经验公式既有一定精度又形式简单,非常适合于作为VLSI全工艺模拟器中的一部份.