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本文用spp(surface-plasmon-polariton)的色散关系的量子力学表示式,讨论了薄膜MIM隧道结的起始发光电压(阈值电压);描述了几种系统MIM结的I-V特性曲线、发射光谱特性曲线,负阻效应及稀土元素的作用. 相似文献
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论述作为一种新型发光器件的MIM隧道结的发光机理,报告了该器件的发光现象和I-V特性曲线中负阻现象的实验观察。数据显示,结中表面等离极化激元(SPP)与粗糙度的耦合是引起光发射的主要方面,SPP对隧穿电子的阻塞作用导致了电子输运中的负阻现象。此外,还观察到了直接辐射的紫外峰。 相似文献
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本文介绍MIM隧道结结构的发光现象的机理,说明SPP(表面等离电磁激元)和表面粗糙度在发光过程中的意义和作用,简单地介绍我们的工作。 相似文献
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硅基MIS隧道发光二极管为制造用于超大规模集成电路的硅基光器件提供了可能性,报道了MIS隧道发光二极管的制作 过程,电流电压和发射光谱特性,讨论了负阻现象和发光机理。 相似文献
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制备了Au-SiO2-Si结构MIS隧道发光结.测试并分析了该结的发光特性及电流-电压(I-V)特性.指出结的发光是由各膜层界面激发的表面等离极化激元(Surface Plasmon Polariton.SPP)与膜层表面粗糙度相互耦合的结果.观察到MIS结I-V特性中存在的负阻现象,采用SPP对电子的束缚模型对这一现象进行了初步分析.利用原子力显微镜(AFM)对结的表面形貌进行了观测,由此讨论了MIS隧道结的发光与电子在结内的隧穿输运特性之间的内在关系.
关键词: 相似文献
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MIM隧道发光结的光谱分析及负阻现象 总被引:2,自引:1,他引:1
在MIM隧道发光结的研究过程中,结的发光是SPP快模还是慢模起主要作用,一直是许多学者争论的主题。本文利用扫描电子显微镜估计MIM隧道结的表面粗糙度,然后根据对结的发光光谱的数据分析,得出快模在发光中占主要地位的结论,并以此解释MIM结I—V特性中的负阻现象。 相似文献