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本文论述了四级微型半导体致冷器与红外探测器金属杜瓦瓶的钎焊方法。实验证明:预先在致冷器底面和杜瓦瓶底座挂上钎料,采用钎剂和保护气体加热钎焊,可降低加热温度,提高钎焊质量;采用快速冷却可大大减小由于长时间热滞所导致致冷器性能的下降,从而为半导体致冷的红外探测器提供了最佳的组装方法和实验参考。 相似文献
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通过对我们研制的四级微型半导体制冷器所做环境实验结果,初步确定了该器件所能承受严酷环境的程度,证明了它是一种能够在许多恶劣环境下工作的半导体器件,从而为半导体制冷器在红外及其他许多领域的应用提供了实验依据。 相似文献
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本专利提出一种用离子束刻蚀CdHgTe半导体材料的方法。图I中的1表示衬底(陶瓷或蓝宝石),用胶层2把Cd_(0.2)Hg_(0.8)Te半导体层3粘在衬底上。对红外光敏感的半导体薄层厚度为20μm。用刻蚀速率很小的薄层4掩盖住不需要刻蚀的半导体表面部分,几微米厚的光刻胶层或钛层就能满足掩膜的要求,未掩膜的半导体表而部分5被刻蚀到衬底1的深度。将表示在图I中的半导体放入一个离子束刻蚀装置中,最好是用氩离子垂直入射刻蚀半导体表面。在一次成功的实验中,压强为8×10~(-3)乇,电压是700V,刻蚀时间是4小时。在 相似文献
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