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We report the observation of in-plane anisotropic magnetoresistance and planar Hall effect in non-magnetic HfTe5 thin layers.The observed anisotropic magnetoresistance as well as its sign is strongly dependent on the critical resistivity anomaly temperature Tp.Below Tp,the anisotropic magnetoresistance is negative with large negative magnetoresistance.When the in-plane magnetic field is perpendicular to the current,the negative longitudinal magnetoresistance reaches its maximum.The negative longitudinal magnetoresistance effect in HfTe5 thin layers is dramatically different from that induced by the chiral anomaly as observed in Weyl and Dirac semimetals.One potential underlying origin may be attributed to the reduced spin scattering,which arises from the in-plane magnetic field driven coupling between the top and bottom surface states.Our findings provide valuable insights for the anisotropic magnetoresistance effect in topological electronic systems and the device potential of HfTe5 in spintronics and quantum sensing. 相似文献
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本文对PON网络结构、现状及开发的意义进行了介绍,提出了结合PING、SNMP技术和决策树算法,实现故障诊断定位、预判功能的障碍管理系统,为PON网络维护体系提供有力支撑. 相似文献
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下面三个案例介绍了查找移动通信干扰源的经验和体会,查找和分析干扰的过程基本相同。随着移动通信的飞跑发展,移动通信网络全面延伸,受到各种干扰的机会越来越多,因此快速排除干扰源,保护移动通信的畅通是无线电监测工作的任务之一。查找无线电干扰是一项综合工程,必须具有先进的无线电监测网络、完善 相似文献
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研究了Sr3Gd(PO4)3∶Tm3 和GdPO4∶Tm3 样品的结构特性、光谱特性。GdPO4∶Tm3 为单斜晶系,基质掺入铥离子后结构没有明显变化。GdPO4∶Tm3 在164和210nm附近有强烈的吸收峰。位于164nm附近的强烈的吸收峰是归因于基质的吸收引起,210nm附近的吸收峰则归因于Gd3 的8S7/2—6GJ的能级跃迁。在164nm真空紫外光激发下,样品于453及363nm处有较强的发射峰,发射主峰位于453nm,属于Tm3 的1D2→3H4(22,123cm-1)跃迁的典型发射。由于阳离子质量的不同,Sr3Gd(PO4)3∶Tm3 在166nm附近的激发峰高于GdPO4∶Tm3 的同位置的激发峰,其在363nm处的发射有明显减弱,而在453nm处的蓝色发射有显著的增强。 相似文献