排序方式： 共有1条查询结果，搜索用时 3 毫秒
1
1.
FinFET作为22nm以下节点最有发展潜力的器件结构,受到广泛关注。不同于传统研究多定性探讨FinFET尺寸变化对其性能的关系,文中定量分析了亚10nm尺度下鳍形状对器件性能参数的影响,通过对阈值电压、开关电流比、泄漏电流等基本参数的综合考虑,给出了鳍形状的优化设计。在此基础上,优化沟道掺杂浓度,平衡了阈值电压与开关电流比,使器件具有了优秀的性能,适用于数字电路的设计应用。 相似文献
1