X射线光刻掩模后烘过程的瞬态热分析

X射线光刻掩模是下一代光刻技术(NGL)中的X射线光刻技术的关键技术难点。在电子束直写后的掩模后烘过程中，掩模表面的温度场分布及温升的均匀性是影响掩模关键尺寸(CD)控制的重要因素，如果控制不当，会造成掩模表面的光刻胶烘烤不均匀，使掩模吸收体CD分布变坏。针对电子束直写后X射线光刻掩模的后烘过程建立了热模型，并采用有限元技术进行了瞬态温度场的计算。计算结果表明：采用背面后烘方式，在达到稳态时出现高温区和低温区，最大温差为10.19℃，容易造成光刻胶局部烘烤过度，而采用正面后烘方式，掩模达到稳态的时间短，温度分布均匀，烘烤效果好。     

X射线光刻掩模背面刻蚀过程中的形变仿真

开发了理论模型以验证有限元方法用于X射线光刻掩模刻蚀过程数值仿真的正确性。利用相同的有限元技术，对X射线光刻掩模的背面开窗、Si片刻蚀过程进行数值仿真。结果表明，图形区域的最大平面内形变(IPD)出现在上、下边缘处，最大非平面形变(OPD)出现在左、右边缘处。此外对Si片单载荷步刻蚀和多载荷步刻蚀的仿真进行比较，结果表明图形区域最终的形变量与Si片刻蚀的过程无关。     

混沌Lorena系统的控制研究

研究了利用非线性控制理论控制混沌Ｌｏｒｅｎｚ系统的方法，通过施加ｂａｎｇ－ｂａｎｇ控制，可以把Ｌｏｒｅｎｚ系统的混沌运动转化成包含有短期和间断混沌态的多种不同形式的运动，特别是运用控制手段，可消除初始状态对运动不确定性的影响，使浊混沌运动转化并最终精确地维持在希望的平衡状态。     

SiNx薄膜热物性参数实验测量与分析研究

采用一种新的实验测量方案,将金属加热单元与温度探测单元合二为一,间接获得了在半导体和微电子学MEMS领域内有重要用途的SiNx薄膜的导热系数、发射率、比热容和热扩散系数,并对实验结果进行了不确定度分析,为微电子电路设计和掩模成型工艺等提供了可靠的热物性数据. 实验结果表明,薄膜的导热系数、发射率、热扩散系数远比相应体材质低,而且还与温度、厚度有关,尺寸效应显著,而比热容则与体材质相差不大.     

X射线掩模电子束制备图形过程中的数值研究

得到移动光源照射下平板温度分布的理论解，验证了有限元方法的正确性。建立了X射线掩模电子束制备图形过程中传热的三维有限元模型，给出了掩模瞬态温度变化规律。结果表明，辐射是X射线掩模在图形制备中必须考虑的重要因素之一，当不考虑辐射时，掩模瞬时最高温度随时间振荡升高，最高温度为35．20℃；当考虑辐射时，掩模瞬时最高温度随时间周期变化，最高温度为26．95℃。     

加速度环境下微槽流动与传热特性

航空电子设备在加速度环境下工作时,采用液体工质进行散热的电子设备的散热性能将受到加速度的影响。本文采用有限体积法对加速度环境下矩形微槽中体积浓度30%的乙二醇水溶液的流动和传热特性进行了系统研究。考察了加速度大小和方向对微槽中流动与传热特性的影响,以及加速度环境对不同微槽结构和工质流量下流动与传热特性的影响。研究表明,与不考虑加速度影响时相比,在开始的瞬间,微槽传热性能大幅降低,流动阻力系数急剧上升,     

SiNx薄膜热物性参数实验测量与分析研究

采用一种新的实验测量方案，将金属加热单元与温度探测单元合二为一，间接获得了在半导体和微电子学MEMS领域内有重要用途的SiN_x薄膜的导热系数、发射率、比热容和热扩散系数，并对实验结果进行了不确定度分析，为微电子电路设计和掩模成型工艺等提供了可靠的热物性数据. 实验结果表明，薄膜的导热系数、发射率、热扩散系数远比相应体材质低，而且还与温度、厚度有关，尺寸效应显著，而比热容则与体材质相差不大. 关键词： 微尺度传热 热物性参数 x薄膜')" href="#">SiN_x薄膜 测量技术     

混沌Lorenz系统的控制研究

研究了利用非线性控制理论控制混沌Lorenz系统的方法.通过施加bang-bang控制，可以把Lorenz系统的混沌运动转化成包含有短期和间断混沌态的多种不同形式的运动.特别是运用控制手段，可消除初始状态对运动不确定性的影响，使混沌运动转化并最终精确地维持在希望的平衡状态.