基于D-S效应的太赫兹源研究

基于Dyakonov-Shur 效应(D-S 效应)利用MOSFET 可构建太赫兹源。研究表明MOSFET沟道内的1mV信号在偏置电压的作用下产生波动并形成等离子波,其电学特性与谐振腔相似。当MOSFET 外接5 V 的偏置电压源时,输出频率为2.15THz、峰值为2mV 的等离子信号。通过调节偏置电压(1～20 V)可以使输出信号在0.96～4.30THz 范围内调频。此外,MOSFET 在5V 的偏置电压和5A的偏置电流的共同作用下,沟道内产生的等离子波随时间的推移以指数形式放大。受器件限制和沟道夹断效应影响,该信号源的最大输出电压为20V,电压增益最大可达到86dB,最大输出功率为200W。在器件允许范围内,偏置电压越大信号频率越高、偏置电流越大起振时间越短,且偏置电流引起的信号频偏小。     

射频SOI LDMOS功率放大器设计与仿真

简介了改进的绝缘层上硅横向扩散金属氧化物一半导体(SOI LDMOS)电路模型.根据改进的SOI LDMOS电路模型,采用射频仿真软件进行了射频功率放大器的设计与仿真.该射频功率放大器采用两级放大结构,采用了S参数设计方法和负载牵引方法设计.结果表明放大器的增益达到15 dB,输出功率达到25 dBm,功率附加效率大于40%.     

Pd/Mm(富铈稀土)薄膜电极在KOH溶液中的电化学行为

利用磁控溅射法制备了Pd/Mm(Mischmetal)混合稀土薄膜,采用X射线衍射、AFM及循环伏安和交流阻抗谱等电化学测试技术研究了Pd/Mm稀土薄膜的晶体结构、表面形貌及其在KOH溶液中的电化学行为.结果表明,Pd/Mm薄膜表面的Pd层由纳米级的孤岛状颗粒构成,颗粒大小为100～200 nm.循环伏安法研究表明,氢的电化学氧化和还原均通过表面Pd金属层进行.Pd/Mm稀土薄膜电极的交流阻抗图由两个容抗弧组成,低频区的容抗弧对应氢在电极中的固态扩散过程,而高频段的容抗弧对应氢在电极表面的电化学还原过程,其中氢在薄膜电极内部的扩散是速率控制步骤.     

横横式压电变压器的理论建模

与传统的电磁变压器相比,压电变压器具有高升压、无电磁污染等特点。由于压电变压器的工作原理复杂,除了Rosen型压电变压器,对于其他压电变压器的理论研究较少。对一种驱动部分以及发电部分都是横场模式的横横式压电变压器进行了理论研究。从Mosen等效电路出发,利用泰勒展开,建立了能反映压电变压器实际工作情况的集总式等效电路图;并在此基础上,给出了一种只用机械品质因数Qm、电学品质因数Qe及机电耦合系数k三个量来表征变压器电学性能的方法。由于Qm、Qe、k的测量方法早已标准化,尺寸、负载对变压器的影响可归结为Qe对电学性能的函数,因此有望简化设计过程。     

压电变压器外围电路的最新研究进展

压电变压器的外围电路也应突出无电磁污染、易小型化等特点,详细介绍了外围驱动电路和反馈控制电路。列举并分析了不同驱动电路和反馈控制电路的设计原理和工作特点,并对未来外围电路的发展做了简单的预测。     

势阱势垒宽度对GaAs/AlGaAs对称DBS RTD NDR特性的影响

目前共振隧穿二极管(RTD)多值逻辑电路研究采用多个MOSFETs组合,以逼近RTD特性,这是现有逻辑功能验证的不足。针对该问题,通过建立对称双势垒RTD电子输运的解析模型,进而采用SILVACO TCAD对Ga As/Al Ga As基对称DBS RTD器件的电学特性进行仿真实验研究。根据仿真实验的结果分析总结了势阱和势垒宽度对Ga As/Al Ga As基对称DBS RTD负阻特性影响的规律,并根据MVL电路设计应用的低压、低功耗、适当峰谷电流比和工艺可实现性等要求,通过大量的仿真优化实验提出采用Ga As/Al Ga As基对称DBS RTD实现多值逻辑电路设计所需的对称DBS RTD器件设计参数窗口。     

压电变压器研究的最新进展

从基本物理原理入手,介绍了压电变压器的工作机理;列出了典型的压电变压器,结合器件设计方法,详细分析了不同压电变压器的特点和使用领域。在此基础上,提出微型压电变压器这一发展方向,并简单分析了所面临的问题。