脉冲激光沉积法合成Bi2Ti2O7介电薄膜及其光吸收特性

控制单脉冲能量为350mJ,脉冲频率为5Hz,控制合适的基底温度,利用脉冲激光沉积法制备出Bi2Ti2O7薄膜材料.结果发现,SiO2基底温度控制在500～600℃,均能获得纯的Bi2Ti2O7薄膜.其介电常数约18.2左右,随频率变化比较稳定,介电损耗约0.015左右,并且在紫外波段200～450nm有着较强的紫外吸收能力,有望在微电子器件中获得应用.     

锂镧锆钽氧改性对固态锂离子电池的性能影响

利用无水乙醇离心洗涤法对LLZTO进行预处理,对LLZTO与PVDF溶液凝胶变色的原因进行了研究,通过XRD,FTIR,ICP测试手段对LLZTO中碱性杂质的成分进行了研究,对洗涤前后的LLZTO的离子电导率、固态电解质膜的离子电导率和SEM照片进行了对比,并对分别使用洗涤前后的LLZTO的固态锂离子电池的电化学性能进行了对比测试。结果表明,使得LLZTO与PVDF溶液凝胶变色的原因为LLZTO中的碱性杂质,其主要成分为LiOH。通过无水乙醇离心洗涤能对碱性杂质做到良好的去除,可以将LLZTO的离子电导率提高约1.668×10~(-4) S·cm~(-1),固态电解质膜的离子电导率提高约1×10~(-4) S·cm~(-1)。去除碱性杂质的固态电解质膜成膜性更好,并且其电池的循环稳定性更好,循环200圈过后比使用未洗涤的LLZTO的电池容量高约50 mAh·g~(-1)。     

基于钙钛矿材料的新型结构太阳能电池器件

基于钙钛矿材料的太阳能电池是一种受到广泛关注的新型太阳能电池。根据钙钛矿太阳能电池结构的不同将其分为四类,综述了钙钛矿太阳能电池的研究现状和最新进展。详细介绍了各类钙钛矿太阳能电池的结构和性能,分析总结了其优缺点。最后展望了钙钛矿太阳能电池未来的发展趋势。     

Fe2O3基钙钛矿太阳能电池的环境稳定性研究

以α相三氧化二铁替换了传统二氧化钛电子传输层,同时以LAD掺杂PTAA替换传统Spiro-OmeTAD空穴传输层,制备具有新颖结构的钙钛矿太阳能电池。通过对其进行老化测试,重点探究其对于紫外、水汽破坏的抵抗能力。虽然这种新结构电池的能量转换效率(12.39%)略低于传统的钙钛矿电池结构(14.19%)。但是在紫外稳定性与水汽稳定性方面有显著的提升,从而提升了电池的使用寿命,具有重要的现实意义。     

基于有机-无机复合固态电解质膜的全固态锂电池制备与性能研究

在聚合物电解质中添加Li_7La_3Zr_(1.4)Ta_(0.6)O_(12)(LLZTO)粉体可以降低聚合物材料的结晶度,促进锂离子迁移,进而提高固态电解质的离子电导率。以双三氟甲基磺酸亚酰胺锂(LiTFSI)、聚偏氟乙烯-六氟丙烯(PVDF-HFP)以及LLZTO粉体为原料制备了不同LLZTO含量的氧化物-聚合物复合固态电解质。研究发现,添加质量分数20%LLZTO的固态电解质具有较高的离子电导率以及高机械强度,同时具有更宽的电化学窗口(5.5 V)。所制备的复合正极/固态电解质/复合负极全固态锂离子软包电池首次充放电比容量分别为176.32和143.31 mAh/g,首次库伦效率为81.3%,25次循环后电池放电容量保持率维持在93%以上。此外,循环前后阻抗变化较小,表现出较好的界面稳定性。     

脉冲激光沉积法合成Bi2Ti2O7介电薄膜及其光吸收特性

控制单脉冲能量为350mJ,脉冲频率为5Hz,控制合适的基底温度,利用脉冲激光沉积法制备出Bi2Ti2O7薄膜材料.结果发现,SiO2基底温度控制在500～600℃,均能获得纯的Bi2Ti2O7薄膜.其介电常数约18.2左右,随频率变化比较稳定,介电损耗约0.015左右,并且在紫外波段200～450nm有着较强的紫外吸收能力,有望在微电子器件中获得应用.     

铁电/铁磁1-3型结构复合材料磁电性能分析

磁致伸缩和压电复合材料通过机械力作用可获得较大的磁电效应，由Terfenol-D粉末与树脂黏接剂构成压磁相，和压电陶瓷PZT黏结在一起，形成1-3型柱状阵列结构，可获得很大的磁电转换系数.采用有限元方法，对此结构的复合材料进行静态分析.复合材料的介电常数和磁电系数的计算结果和实验数值一致，得到样品中应力、应变和电极化分布情况及其关系，并给出进一步提高磁电转换系数的途径，该种复合方式有望成为一种新型高性能的磁电结构. 关键词： 复合材料 磁电效应 有限元     

脉冲激光沉积法合成Bi2Ti2O7介电薄膜及其光吸收特性

控制单脉冲能量为350mJ，脉冲频率为5Hz，控制合适的基底温度，利用脉冲激光沉积法制备出Bi2Ti2O7薄膜材料. 结果发现，SiO2基底温度控制在500～600℃，均能获得纯的Bi2Ti2O7薄膜. 其介电常数约18.2左右，随频率变化比较稳定，介电损耗约0.015左右，并且在紫外波段200～450nm有着较强的紫外吸收能力，有望在微电子器件中获得应用.