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1.
深亚微米SOI工艺ESD防护器件设计
米丹
周昕杰
周晓彬
何正辉
卢嘉昊
《电子与封装》
2021,21(5):56-62
在集成电路设计领域,绝缘体上硅(SOI)工艺以其较小的寄生效应、更快的速度,得到广泛应用.但由于SOI工艺器件的结构特点及自加热效应(SHE)的影响,其静电放电(ESD)防护器件设计成为一大技术难点.当工艺进入深亚微米技术节点,基于部分耗尽型SOI(PD-SOI)工艺的ESD防护器件设计尤为困难.为了提高深亚微米SOI...
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