用离子束辅助沉积对Si进行金属化

本文用ＩＢＡＤ－ＰＶＤ复合方法在单晶硅上制备了Ｃｒ／Ｎｉ复合金属化层，研究了沉积工艺条件及退火对薄膜的界面结合强度和电阻率的影响，获得了界面结合强度高、电阻率低、抗热震性能好的Ｃｒ／Ｎｉ复合金属化膜，界面结合强度可达３１ＭＰａ。