用于有源电力滤波器的IGBT驱动及保护研究

介绍有源电力滤波器设计中EXB841型绝缘栅场效应晶体管(IGBT)驱动器的驱动原理和电路特点,对IGBT的栅极驱动特性、栅极串联电阻进行了探讨,给出过流保护和过压吸收的有效办法。样机试运行证明此种设计方案可靠、有效。     

纳米硅薄膜界面结构的微观特征

对使用等离子体增强化学汽相沉积法（ＰＥＣＶＤ）制备的纳米硅薄膜（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ），使用ＨＲＥＭ及ＳＴＭ技术观测了其显微结构，给出大量的界面结构图象．首次获得有关晶粒及界面区中原子的分布情况．使我们认识到ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜中界面区内的硅原子仍然是具有短程有序性并不是完全无序的．     

InP/InGaAs隐埋结构雪崩光电二极管

设计并制作出一种有新型保护结构的平面InP/InGaAs雪崩光电二极管。该器件在P-n结下面有一被隐埋的n-InP层和n~--InP倍增区,这样便获得了良好的保护作用。器件的整个有源区均呈现均匀倍增,最大倍增因子为30,在击穿电压的90%处获得了大约20nA的低暗电流,平坦的频率响应高达1GHz。在倍增因子达到17时测试了倍增噪声。     

BaTiO_3系PTCR热敏电阻器用烧结助剂的研究

研究了烧结助剂的作用，实验结果表明：如只引入半导化元素，不引入烧结助剂，则室温电阻率ρ２５很大，甚至是绝缘体。由于烧结助剂的加入，既改善了ＰＴＣＲ热敏电阻陶瓷的烧结性，又改善了其ρ２５、耐电压Ｖｂ、ＰＴＣ效应等特性，从而使产品的各种特性易于重复。烧结助剂昔日多用ＡＳＴ，现在常用ＳｉＯ２，其加入量ｘ宜小于２％。ＳｉＯ２的纯度、杂质等化学特性，与粒子形状、粒度分布、晶系等物理特性，对ＰＴＣＲ热敏电阻器的电性能有很大的影响。据此提出了ＢａＴｉＯ３系ＰＴＣＲ热敏电阻器用ＳｉＯ２的技术标准。     

语音保密集成电路AK2356及其应用

<正> 本文介绍一种语音保密通信专用集成电路AK2356,以AK2356为核心,再配以少量外围元件,即可组成专用语音保密器。它适用于各种无绳电话机、对讲机等无线电设备及有线通信保密装置,具有结构简单,保密效果好,体积小,耗电少,音质好,便于更改密码等特点。 一、功能特点 AK2356是一种专用于电话通信保密的CMOS大规模     

线状锗等离子体X射线线谱的时间分辨测量

用自行研制的X射线条纹晶体谱仪首次测量了线状锗等离子体的X射线时间分辨谱。给出了类Ne-锗L线共振线的时间演化过程,并用类Ne-锗L线共振线与其双电子俘获伴线的相对强度比粗估了锗等离子体的电子温度及其随时间的变化,实验给出了X光激光增益区介质的电子温度为400～760eV,同时给出了电子温度保持相对恒定的时间不小于90ps(电子温度变化小于2％)。     

光孤子相互作用对压缩态的影响

在线性近似条件下，量子化了非线性薛定谔方程，用后向传播法数值求解了光孤子相互作用对压缩比的影响。数值结果表明，在碰撞距离附近，压缩比显著增加。     

反常声电光频谱分析器

介绍了一种新型的反常声电光频谱分析器，它可以采用外加电压的办法改变器件的中心频率，扩大器件的频带宽度，并改善器件在频带宽度范围内的频率响应特性。用ＬｉＮｂＯ３制作了一个６０ＭＨｚ的反常声电光频谱分析器件，测试结果表明，器件中心频率可以由５０ＭＨｚ变到７０ＭＨｚ，频带宽度由原来的２６ＭＨｚ扩大到３７ＭＨｚ。     

统一通信在校园网中的实现

通过对智能网、校园网和统一通信的分析，提出一种利用智能网和校园网资源实现统一通信的校园统一通信系统。     

改进相干激光器阵列的热沉设计

一种有顶层(其横向尺寸与激光器阵列宽度相配)的热沉将明显改善激光器阵列的温度均匀性,便于器件锁相工作。