电信运营商对大数据的应用

在现代社会,计算机、平板电脑、手机等终端设备几乎成了人们生活中不可或缺的一部分。无处不在的移动设备、RFID、无线传感器等每分每秒都在产生数据,数以亿计的互联网服务时时刻刻都在产生巨量的交互。据IBM最新研究报告显示,全球每天都要产生超过2.5 quintillion字节的数据。这些数据犹如一座金矿,各行业都想如何能够能好地利用它为自己创造最大的经济收益,电信行业也不例外。本文主要从电信运营商在大数据时代具有的先天优势出发,讨论国内外电信运营商对大数据方面的应用。     

基于MEA的CO_2相变化吸收剂的开发

化学吸收法是碳捕集技术中最为成熟的技术之一,单乙醇胺(MEA)是最常用的化学吸收剂.然而由于MEA的解吸能耗较高,造成CO_2捕集成本居高不下.本文提出了一种利用盐析效应开发新型CO_2相变化吸收剂的方法,并开发了吸收剂组成为"MEA+叔丁醇+水"的新型CO_2相变化吸收剂.实验考察了不同配比下吸收剂的分相情况、循环负载量以及吸收剂的物理性质,并用气相容积法测定了40℃、0～0.5 MPa下,CO_2在相变化吸收剂中的溶解度.研究表明,MEA/叔丁醇相变化吸收剂的循环负载量最高为2.84 mol CO_2/kg,相比于30%MEA水溶液提高了40%,进入解吸塔的吸收剂体积降低了65%,有望大幅降低CO_2捕集能耗.     

卫星通信业务发展策略

分析卫星通信业务的优越以及存在问题，介绍国内外市场现状及卫星通信业务发展趋势，提出中国电信开展卫星通信业务主要类型以及业务定位，对中国电信卫星业务发展策略进行了探讨。     

用于有源电力滤波器的IGBT驱动及保护研究

介绍有源电力滤波器设计中EXB841型绝缘栅场效应晶体管(IGBT)驱动器的驱动原理和电路特点,对IGBT的栅极驱动特性、栅极串联电阻进行了探讨,给出过流保护和过压吸收的有效办法。样机试运行证明此种设计方案可靠、有效。     

纳米硅薄膜界面结构的微观特征

对使用等离子体增强化学汽相沉积法（ＰＥＣＶＤ）制备的纳米硅薄膜（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ），使用ＨＲＥＭ及ＳＴＭ技术观测了其显微结构，给出大量的界面结构图象．首次获得有关晶粒及界面区中原子的分布情况．使我们认识到ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜中界面区内的硅原子仍然是具有短程有序性并不是完全无序的．     

分子束外延生长3英寸HgCdTe晶片

报道了用分子束外延的方法制备3英寸HgCdTe薄膜的研究结果,获得的HgCdTe外延材料均匀性良好,在直径70mm圆内,组份标准偏差率为1.2%,对应80K截止波长偏差仅为0.1μm.经过生长条件的改进,表面形貌获得了大幅度改善,缺陷密刃∮00cm-2,缺陷尺寸小于10μm,可以满足大规模HgCdTe焦平面列阵的应用需求.抖     

应用功率倍频器的毫米波发射机

引言在过去的十年里,工作于毫米波频率的固态半导体器件的发展,取代了1～50W 范围内的电子管。这些器件可靠性高、价格低、工作电压低,而且体积小、重量轻。本文的中心是关于在30～100GHz 的频率范围内产生功率的方法。在这个频率范围内,如果功率高于50W 的活,那么,就必须选择功率电子管。图1是连续波功率随频率变化的曲线图,它分成三个部分。直到最近,在毫米波频率上获得功率的方法才被限定在基频上的产生和     

一类含时滞的反应扩散方程的周期解和概周期解

本文研究一类含时滞的反应扩散方程和方程组.应用单调方法得到了这类方程存在周期解和概周期解一些充分条件.     

InP/InGaAs隐埋结构雪崩光电二极管

设计并制作出一种有新型保护结构的平面InP/InGaAs雪崩光电二极管。该器件在P-n结下面有一被隐埋的n-InP层和n~--InP倍增区,这样便获得了良好的保护作用。器件的整个有源区均呈现均匀倍增,最大倍增因子为30,在击穿电压的90%处获得了大约20nA的低暗电流,平坦的频率响应高达1GHz。在倍增因子达到17时测试了倍增噪声。     

一种新型压电陶瓷极化装置

采用压电陶瓷变压器作为极化装置的高压发生源，并对以往极化装置作一体化配套改造与完善，研制出一种性能优于国内外同类装置水平的新型压电陶瓷极化装置。该装置具有体积小、重量轻、不怕短路、功能齐全、不需采取特殊防护措施、操作方便安全、价格低、稳定可靠等特点，可在压电材料与器件的研制及生产中推广使用