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在传统的氮化镓沟槽栅极场效应管的基础上,通过引入AlGaN层,在异质结界面处形成二维电子气减小器件的导通电阻,并对漂移层的厚度和掺杂浓度进行讨论,使用TCAD软件对器件进行设计优化。最终优化后的漂移层厚度为6μm,掺杂浓度为5×1016 cm-3。器件获得了较低的导通电阻Ron=0.47 mΩ·cm2,较高的击穿电压VBR=2 880 V和品质因子FOM=17.6 GW·cm-2。结果显示出了沟槽栅极垂直氮化镓场效应管在高压大电流应用场景下的优势。 相似文献
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