碳原子的再分布对铂上高质量单层石墨烯生长的影响

二维材料石墨烯以其独特的性质显示出在众多领域的应用潜力。化学气相淀积(CVD)作为最有效的生长单层石墨烯的方法得以良好发展。但在CVD方法中,频繁出现的多层石墨烯“点”严重影响单层石墨烯的有效面积,进而限制了石墨烯在很多场景中的应用。本文通过引入一个新的阶段-再分布阶段,使得在分解阶段溶解在铂片中的碳原子重新分布,进而减少了多层石墨烯“点”的数目。单层石墨烯的平均面积增加到16000μm₂,较未引入再分布阶段的单层面积增大了八倍。最后,拉曼光谱仪的测试结果说明了新方法下生长的石墨烯的高质量特征。     

再入式集成光学陀螺实验研究

本文在干涉型光纤陀螺 (IFOG)成熟产品模块化结构的基础上 ,提出了无源和有源再入式集成光学陀螺 (IOG)的系统方案。它们在光源、调制器等主要器件上和 IFOG是兼容的。理论分析表明 ,无源和有源 IOG可以分别达到 10 .0°/ h和 0 .1°/ h的精度。     

新环形半导体激光陀螺仪

介绍了一种新型半导体环形激光陀螺仪,它集合了传统He-Ne激光陀螺仪简单的结构方案和光纤陀螺仪成本低廉的优点。从理论上分析了该陀螺仪的精度,及其与各参数之间的关系,并提出了信号读出和转向判别的处理方法。最后,从集成光学的角度,给出了单片的半导体激光陀螺仪的设计结构。理论计算表明,当无源环形波导谐振腔的直径为40mm时,单片的集成光学半导体激光陀螺仪的精度可以达到0.032rad／s。     

显微拉曼光谱术在微纳电子学研究中的应用

拉曼光谱对被测样品的晶格与分子振动、转动能量非常敏感,而且拉曼光谱的测量具有非破坏性在微纳电子学研究中,需要原位的、高空间分辨率的、非接触的测量方法研究各种材料、器件的晶态、应力热学性质等参数.由此,显微拉曼光谱术就成为一种能够满足上诉要求的、实现多种参数测量的重要的手段.本文通过调研和实验研究了显微拉曼光谱术在硅、低...     

石墨烯射频器件研究进展

石墨烯因具有优良的电学特性,在半导体行业中受到广泛关注,特别因其具有超薄的结构和极高的载流子迁移率,为解决短沟道效应提供了可能,并且在高速电子领域具有应用前景.近年来,使用石墨烯作为沟道材料制备射频晶体管及射频电路是发挥石墨烯材料优势的一个重要研究方向.制造高性能的射频器件,首先要制备出高性能的石墨烯材料.在金属衬底上沉积均匀的单层石墨烯材料或者在绝缘衬底上外延生长单层、双层石墨烯材料都是获得高质量石墨烯材料的常用方法.器件结构及工艺流程的设计也是提升晶体管射频性能的重要因素,多指栅结构、T型栅结构、埋栅结构以及自对准工艺的发展能够有效改善石墨烯射频晶体管的截止频率及最大振荡频率.石墨烯晶体管独特的电学特性使得其除了可以构造与其他半导体材料电路相似的射频电路结构,还可以构造出功能完整并且结构更加简单的新型射频电路结构.     

集成光学角速度传感器系统方案的研究

本文研究了谐振型和干涉型两类集成光学角速度传器（Ｒ－ ＩＯＲＳ 和Ｉ－ ＩＯＲＳ） 的系统方案,设计了两种Ｒ－ ＩＯＲＳ 的光纤仿真实验装置：反射式和透射式,并介绍了对它们的实验研究结果。文中还提出了一种再入式Ｉ－ ＩＯＲＳ的系统方案,并进行了理论分析。     

再入式无源光纤陀螺随机误差分析

文章利用Allan方差法对Sagnac敏感环分别为20m和200m的再入式无源光纤陀螺（RE－FOG）的随机误差进行了详细的分析。结果表明,这种光纤陀螺的噪声中含有传统光纤陀螺中反映了不明显的指数相关（Markov)噪声,并且占有重要地位。估计了两个陀螺系统的噪声水平。最后认为,通过深入研究再入式光纤陀螺的误差源和相应的抑制措施,它的精度有望接近和达到传统光纤陀螺的水平。     

电子束蒸镀厚SiO2膜的工艺研究

本文研究了用电子束蒸镀工艺制备用于光波导器件的SiO2膜。采用高温退火处理工艺使SiO2膜的光学和物理特性稳定。在蒸镀过程中,输入不同压力的O2,可以改变和控制SiO2膜的组分,达到控制膜折射率的目的。通过逐次蒸镀、退火的工艺,实现1μm以上厚SiO2膜的制备。     

基于MEMS技术的集成铁电硅微麦克风

本文介绍了基于MEMS技术的集成铁电式硅微麦克风的潜在应用、制备工艺、封装技术、测试方法。实验研究表明，这种与IC工艺相兼容的MEMS微麦克风工艺相对简单，性能易于控制，灵敏度可以达到15mV／Pa以上，有很大的发展前途。     

高斯光束—光波导的耦合

本文研究了 Si基 Si O2 光波导与高斯光束之间的耦合。用有效折射率法计算了波导 TE模基模的分布 ;实验测试了与光斑直径小于 10 μm的高斯光束的耦合位置允许误差。结果表明归一化耦合比在5 0 %以上时 ,x- y方向的位置误差应该在± 5μm内 ,z方向位置误差在± 2 0 0μm。