可见光半导体激光器的发展现状

目前,电视唱片再生以及激光印刷等方面用的光源,几乎都是使用以He-Ne激光器为中心的气体激光器。但是近几年来,随着800毫微米波段近红外半导体激光器的迅速发展,自然提出了用可见光半导体激光器取代上述气体激光器光源的要求。与气体激光器相比,半导体激光器具有体积小、工作电压低、能直接高速调制、便于集成化等优点。虽然也可以使用红外半导体激光器作为上述光源,但若使用可见光半导体激光器,则直     

电活性和生物活性多巴-胰岛素样生长因子-1@聚(乙交酯-丙交酯)/聚(3-己基噻吩)静电纺丝纤维的制备及神经组织工程应用

理想型神经修复材料应具备与正常神经相似的导电性、仿生细胞外基质结构以及释放特定的生长因子等性能。 本研究将不同质量分数(0、3%、5%、10%)的聚(3-己基噻吩)(P3HT)加入到聚(乙交酯-丙交酯)(PLGA)中,采用静电纺丝工艺,制备了具有电活性和仿生结构的复合纤维。 利用酪氨酸羟化酶,将不同质量浓度(10、50、100 ng/mL)的含多巴接头的胰岛素样生长因子-1(DOPA-IGF-1)绑定在纤维表面,实现生长因子长效稳定的作用。 通过扫描电子显微镜、接触角表征了纤维直径、分布以及表面亲疏水性。 利用细胞培养、荧光染色实验评估了纤维在体外的生物相容性和生物活性。 结果表明,该电活性纤维能有效促进大鼠肾上腺嗜铬细胞瘤细胞(PC12)增殖,其中,PLGA/P3HT-5%纤维表现出更好的细胞响应性。 结合DOPA-IGF-1质量浓度为10 ng/mL的纤维更利于PC12细胞的黏附、生长。 兼具电活性和生物活性的纳米纤维DOPA-IGF-1@PLGA/P3HT在神经组织修复领域具有潜在的应用价值。     

脉冲电子束退火装置及其对注砷硅的退火结果

<正> 目前,离子注入技术虽已相当广泛地用于半导体器件的科研和生产中,然而离子注入造成的晶格损伤的恢复和注入杂质的高效率激活方法却还留下一些有待研究的课题.其中,脉冲电子束退火就是当前颇受重视的方法之一.     

硅部分离化MBE方法及批量生产型装置

在硅LSI中有以高速率为主要特点的双极型和以高密度化为主要目的的MOS型两类。在双极型LSI中,除纵向结构的BPT(结型晶体管)必需集成外,在元件间的隔离上主要是使用简便的外延基板;在MOS LSI中,为了集成横向结构的FET,由于深度方向隔离不太重要,故可以不用已往的外延基板。     

高密度组装电路的热设计——电子设备的热设计(一)

1、热设计的基础 1.1电子设备及电子元件发展动向 众所周知,当今电子设备正向小型化、高密度组装化方向发展。 电子设备小型化的主要因素是元件的小型化、电路由分立元件到集成化等技术的飞跃发展。随着集成电路（IC,下同）制造技术的发展,IC本身的高度集成化得到较大突破。例如,存贮器的集成度（1片的位数）由1K发展到4K,又进而至16K、64K,一年之间竟以双倍的比例增长,最近报道256K的也已研制成功。六十年代的IC元件只有10个（2只三极管、6只电阻,2个电容）,到七十年代猛增到1000多个,这种电路被称为大规模集成电路（LSI,下同）。现在,出现     

半导体片子加工的新方向

片子加工的评价从目前状态看,电子计算机主要依靠硅单片集成电路,而且还将持续很长一段时间。其理由是比较简单的,比硅持性好的半导体材料在近期是不可能出现的,以电子计算机为代表的信息处理机能主要靠电子线路的形式来实现,那么形成路线的器件配量就必定是矩阵形式的,二维(矩     

离子注入的世界—在砷化镓场效应晶体管中的应用

在砷化镓场效应晶体管中的应用如图1所示,GaAs材料的电子迁移率高,在较低电场下具有高的漂移速度,此外与硅相比其禁带宽度宽,因此,GaAs作为微波用的材料(从可以做开关速度快的放大器件来看)是一种很有吸引力的半导体材料。把GaAs材料作成晶体管时,有几个有害的缺点。譬如,由于电子和空穴的迁移率相差很大,不宜作双极器件。在利用表面反型层作为沟道的MOSFET中,在SiO_2和GaAs的界面处会产生时间常数大的界面能级。因此,不能获得像从体内迁移率得来的那么高的增益。同时这个现象也就意味着在GaAs的表面钝化上SiO_2是不太有效的。     

2,5-环己二烯酮类的固相光化学(Ⅱ)

本文报道了2,4,6-三叔丁基-4-甲氧基-2,5-环己二烯酮的固相光化学反应,所得三种产物的比率随温度而变化,而液相光化学反应与温度无关。用带有NaNO₂滤色液的光照射该化合物,几乎得到100％的列米酮。在列米酮中加入少量萘的固相光化学反应所得产物的比率随萘量而变化。     

半导体制片工艺的新动向

制片工艺的地位看来,电子计算机与采用硅制造的单片集成电路有很大的依赖关系,这种状况暂时将继续下去。其理由比较简单,下面例举几条就足以说明:(1)在最近的将来几乎不可能出现胜过硅特性的半导体材料;(2)在电子计算机中所代表的信息处理机能只要能以电子电路的形式来实现,构成电路的器件排列只能是矩阵式的;(3)二维矩阵式的工艺技术对于人们来说很熟悉,是行之有效的好技术。