掺钪AlN材料特性及HBAR器件性能研究

该文基于掺钪AlN薄膜制备了高次谐波体声波谐振器(HBAR),研究了钪(Sc)掺杂浓度对AlN压电薄膜材料特性及器件性能的影响。研究表明,当掺入Sc的摩尔分数从0增加到25%时,压电应力系数e₃₃增加、刚度 下降,导致Al₁-_xSc_xN压电薄膜的机电耦合系数 从5.6%提升至15.8%,从而使HBAR器件的有效机电耦合系数 提升了3倍。同时,当Sc掺杂摩尔分数达25%时,Al₁-_xSc_xN(x为Sc掺杂摩尔分数)压电薄膜的声速下降13%,声学损耗提高,导致HBAR器件的谐振频率和品质因数降低。     

物联网智能物流车辆监控系统的研究与开发

随着世界经济一体化进程的加快，物流产业正在世界范围内迅速发展，物流业在国民经济中占据了重要的地位，为了提高物流管理水平和效率，降低物流成本，开发了一种物联网智能物流车辆监控系统。该系统能够实现对物流配送作业全过程的可视化监控管理，让物流配送部门可以实时掌握配送作业的进度以及配送过程中人、车、物的状况，从而有效提升物流 配送过程的精细化管理水平，增强对物流配送过程的安全把控。     

TI首席科学家--方进畅谈SoC新趋势Sofrware跃居主角!以片上软件解答功耗与性能的两难习题

现任德州仪器(TI)DSP业务发展经理、负责利用DSP技术在TI内部开创新的业务的Gene Frantz(中文名:方进),除了上述寻常的职称,他还拥有一个很特别的头衔--首席战略科学家.这可是不容小觑的身份,在TI为数众多的技术人员中,仅有不到千分之一的人有幸获此殊荣.方进由于对奠定TI在全球DSP领先基础上贡献卓越,于1997年被授予此称号.     

手机电视,只待春风催放的蓓蕾

早前有所谓“Five Flowers”的说法,意谓着中国有望如旭日东升的五大自有标准：TD-SCDMA、WAPI、EVD、AVS,以及中国数字电视的DMB-TH。究竟,中国的DMB-TH能否率先绽放?     

揭秘中小型高新企业的崛起与成长之道

他们,就是这么壮大起来的!从格林柯尔到德隆,从巨人集团到迪比特手机,一系列看上去家大业大的明星企业,一夜之间轰然倒塌,引起业界一片哗然!在新兴市场经济环境中,在金融生态环境以及法律环境仍需进一步改革的前提下,中小企业应如何通过获得投资、资本负债、上市融资等方式实现     

工艺微缩,低功耗设计成难点Cadence携CPF通用功率格式扣敲IEEE国际标准大门

随着制造工艺的微缩,时序优化和成品率等技术议题,早已人所共识尤其是如何降低功耗?更深深困扰着整个电子业.这样的呼声,EDA业界也听到了.     

RF发展激化"实时频谱分析仪"的成长信号触发、捕获、分析 泰克RTSA一手搞定

如果问什么是这几年最令人惊艳的前沿技术,无线技术肯定是当仁不让的选项之一;放眼环视生活周遭,手机、笔记本电脑、微波炉等遍地可见Wireless的踪迹;因为贪恋数据传输及处理的便利性和实时性,许多无线应用正加速转向数字RF发展,以彻头彻尾地全面利用计算机技术;这样的趋势虽然对科技进化贡献良多,却也造成RF频谱格外拥挤。加上高速嵌入式数字信号运行微波频率,都使得监控和智能采集技术的使用量大幅提高。     

伪距率伪距双差GPS／IMU组合导航系统研究

采用伪距和伪距率的ＧＰＳ／ＩＮＳ组合，由于卫星历误差，传播误差，仪器误差及人为干扰（ＳＡ）等因素的存在，使组合系统精度不可避免地受到严重影响，本文提出采用距率双差和伪距双差为观测向量的组合方法，并推导了系统的观测方程，采用低成本ＩＭＵ和ＧＰＳ组合的实验结果表明，这种方法可有效地消除上述主要误差的影响，组合系统的姿态速度位置精度分别小于０．１１°，０．１ｍ／ｓ，０．３ｍ（ＲＭＳ）。     

铝互连线的电迁移问题及超深亚微米技术下的挑战

铝互连线的电迁移问题历来是微电子产业的研究热点，其面临的电迁移可靠性挑战也是芯片制造业最持久和最重要的挑战之一.从20世纪90年代开始，超深亚微米(特征尺寸≤0.18 μm)铝互连技术面临了更加复杂的电迁移可靠性问题.从电迁移理论出发，分析概括了铝互连电迁移问题的研究方法，总结了上世纪至今关于铝互连电迁移问题的主要经验；最后结合已知的结论和目前芯片制造业现状，分析了当前超深亚微米铝互连线电迁移可靠性挑战的原因和表现形式，提出了解决这些问题的总方向. 关键词： 电迁移 铝互连 微结构     

一种不等带宽光学梳状滤波器

提出了一种新型—Michelson—三面镜FabryPerot型50GHz不等带宽光学梳状滤波器设计方案,分析和模拟表明:该器件将一路信道间隔为50GHz的输入信号分离成信道间隔为100GHz的奇偶两路输出信号,其中在3dB处,奇数信道带宽大于30GHz用于10Gb/s传输,偶数信道带宽大于60GHz用于40Gb/s传输对于将来的40Gb/s系统,该器件具有优势.