沟道基区晶体管

本文报导了一类新的晶体管-沟道基区晶体管(CBT)的实验研究和初步理论分析结果。这种晶体管在原理上同时含有双极晶体管和常闭型结型场效应晶体管的成份,其突出优点是电流增益随温度的变化和小电流区电流增益随电流的变化都远比双极晶体管小。     

表面栅静电感应晶体管沿沟道中心线电势分布的解析分析

本文从表面栅静电感应晶体管(SIT)的基本物理模型出发,求出了沿沟道中心线的电势分布和沟道势垒高度的解析表达式.根据所得表达式具体计算了一个典型器件在不同栅源电压V_(GS)和漏源电压V_(DS)下的电势分布和势垒高度.其结果与1978年J.L.Morenza等人对同一器件用计算机数值分析所得的结果吻合较好. 本文给出了该种器件中势垒存在的物理模型,指出了表面栅与隐埋栅器件在势垒形成上的差别:表面栅器件中势垒的形成与源沟n~+n结有关;而隐埋栅器件势垒的形成与源沟n~+n结无关. 本文所得的解析表达式也表明,表面栅结构中势垒的出现需要沟道夹断一定的深度.这与1980年日本J.Ohmi用计算机数值分析所得结论是一致的. 本文所得的势垒高度的解析表达式可以作为进一步求解该种器件各电参数的解析表达式的基础.     

pnp高频高反压沟道基区全温晶体管设计与制造

耗尽基区晶体管也称为双极静电感应晶体管(BSIT),其电流放大系数h_(FE)具有负的温度系数。双极结型晶体管(BJT)的h_(FE)具有正温度系数,将BSIJ与BJT并联,采用BJT常规工艺制造了pnp高频高反压沟道基区全温晶体管。 本文描述了这一器件的结构,工作原理,设计与制造。该器件的特点是:当温度T变化时,h_(FE)漂移较小。 测试结果表明,环境温度从25°升到180℃时,器件的h_(FE)随温度T变化率小于35％,优于同类型的常规双极结型晶体管,平均改善20％。当温室从25°降到-55℃时,器件的h_(FE)变化率小于或等于30％