激光偏光棱镜消光比的测量

本文介绍了一种测量偏振棱镜高消光比的方法,在没有用作激光衰减片的中性滤光片时,可用这方法测量高达10~8的消光比。     

脉冲付里叶变换波谱及磁共振现象

一、引言 Zavoisky在1945年首先观察到了电子顺磁共振(EPR)现象,其后不久Bloch及Purcell,Torry,Pound两个研究组分别独立地报导了核磁共振(NMR)实验,1950年Hahn则第一个完成了核自旋回波实验。自那以后特别是1966年由于Ernst及Anderson引入付里叶变换NMR方法后,时畴NMR发展特别迅速并在物理、有机化学以及生物物理、生物化学等众多学科得到了广泛的应用。时畴NMR迅速发展的主要原因是其具有很高的灵敏度,一般较连续波(CW)磁共振方法灵敏度高1—2量级,其次则是它可完成在液体及固体中许多用CW波谱技术     

Na~(23)汽室中无多普勒增宽的后向荧光光谱研究

本文分析了汽室中单色激光所激发的前、后向共线荧光的频谱特性。实验观测了Na~(23)原子共振线的后向荧光、测量了荧光光谱的频率间隔、强度以及汽室中原子的速度分布。在速率方程近似下理论计算结果与实验观测相符。     

多孔硅的氢化、氧化与光致发光

对于刚阳极氧化完的，阳极氧化后紧接着在Ｈ２Ｏ２中光照处理的及长期存放（１０个月）的三种多孔硅样品进行了持续激光照射，不断监视它们的光致发光（ＰＬ）与富利埃变换红外（ＦＴＩＲ）吸收光谱，并在最后对它们作了Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）测量，以确定它们所含氧化硅的情况．得出如下几条结论：（１）氢对多孔硅表面的钝化是不稳定的．（２）Ｓｉ—Ｈ键不是发光所必须的．（３）氧对多孔硅表面的钝化是稳定的，纳米硅周围氧化层的存在及其特性对于稳定的多孔硅可见光发射是至关重要的．对激光照射下多孔硅发光的退化提出了新的解释．     

非晶硅太阳电池中磁共振的光伏检测(英文)

The detection of magnetic resonance via the photovoltage (PDMR) is a sensitive method for investigating recombination and light-induced meta-stable defects in a-Si:H solar cells. The steady-state PDMR signals are dependent on the light intensity, microwave power and sample temperature. Particularly,the delay time of signal or the phase shift of lock-in amplifier is also dependent on the light intensity and temperature. For a given temperature and microwave power there is an optimum light intensity for the signal noise ratio. According to our results, a brief analysis and discussion are given.     

氖原子的光电流光谱及同位素位移的测量

利用单模连续染料激光器及自制空心阴极灯,在充有较高氖气气压条件下研究了氖原子光电流光谱特性,并选定5994A这一谱线,记录了其高分辨的光电流光谱,测得~(22)Ne及~(20)Ne之同位素位移为2.26GHz。     

偏振饱和光谱的一种新的检测方法

提出了一种检测饱和色散谱的新方法。分析了该方法的原理。对Na D_1线所作实验表明了此方法的可行性与优点。     

室温下掺Er富硅氧化硅和掺Er富硅氮化硅的光致发光及其退火

用磁控溅射淀积掺Er氧化硅、掺Er富硅氧化硅、掺Er氮化硅和掺Er富硅氮化硅薄膜,室温下测量这四种薄膜的光致发光（PL）谱,观察到这四种薄膜都具有1.54μm的峰位,其强度与薄膜的退火温度有关。为了确定1.54μmPL的最佳退火温度,这些薄膜都分别在600,700,800,900,1000,1100℃的温度下同时退火,发现两种富硅薄膜的最佳退火温度是800℃,不富硅的两种薄膜的最佳退火温度是900℃。样品的1.54μmPL最强,且800℃退火的掺Er富硅氧化硅薄膜的1.54μm峰强度是最强的,比不富硅的强了约20倍,还观察到这四种薄膜都具有1.38μm的PL带,且掺Er富硅氧化硅和掺Er富硅氮化硅这两种薄膜的PL在强度上1.38μm峰与1.54μm峰有一定的关系。