电子厂商的制胜之道

索尼步入复苏期1999年4月,井原胜美出任索尼手机部门的最高负责人。当时,索尼手机部门的业务跌入谷底,产品销量不佳,连年亏损。直觉告诉     

离轴数字全息记录条件的研究

用振幅全息和菲涅耳衍射理论,分析离轴数字全息记录系统结构参数对数字全息再现的影响,并进行相应的实验验证。理论分析和实验研究结果都表明,如果记录物体和CCD的尺寸固定,记录物体和CCD之间的记录距离将直接影响数字全息再现像的分离状况和系统的分辨率,在保证再现像分离的前提下,缩短物体和CCD之间的距离将有利于数字全息再现像分辨率的提高。     

动则生静则亡

松下电器产业于2007年3月16日宣布,将优先与美国投资基金TPG讨论旗下子公司Victor的出售,并最终在新的财政年度到来之前与TPG达成了收购协议.出售战略成功后,松下电器在投资基金的支持下得到重生.     

丙酮在XeCl准分子激光辐射下的多光子电离和碎裂研究

我们用扩散分子束多光子电离光谱技术研究了丙酮在XeCl准分子激光辐射下的多光子电离和碎裂行为。实验表明丙酮没有产生母体离子峰(m/e=58), 只给出m/e=43和15两个峰, 分别对应于丙酮光解所产生的两个碎片CH_3 CO和CH_3。其离子信号(1)分别与激光强度(Ⅰ)的3和3.6次方成正比。分析表明离子是由中性碎片电离产生的。     

Dark matter and baryogenesis in the Fermi-bounce curvaton mechanism

We elaborate on a toy model of matter bounce, in which the matter content is constituted by two fermion species endowed with four fermion interaction terms. We describe the curvaton mechanism that is thus generated, and then argue that one of the two fermionic species may realize baryogenesis, while the other(lighter) one is compatible with constraints on extra hot dark matter particles.     

雪崩击穿条件下4.5kV IGBT器件的背面优化研究

The static avalanche breakdown behavior of 4.5 kV high-voltage IGBT is studied by theory analysis and experiment. The avalanche breakdown behaviors of the 4.5 kV IGBTs with different backside structures are investigated and compared by using the curve tracer. The results show that the snap back behavior of the breakdown waveform is related to the bipolar PNP gain, which leads to the deterioration of the breakdown voltage. There are two ways to optimize the backside structure, one is increasing the implant dose of the N C buffer layer, the other is decreasing the implant dose of the P C collector layer. It is found that the optimized structure is effective in suppressing the snap back behavior and improving the breakdown characteristic of high voltage IGBT.     

4500V SPT IGBT 动静态损耗优化

本文关注高压IGBT动静态性能的优化。对4500V增强型平面IGBT进行研究,该结构在阴极一侧具有载流子存储层。其中垂直结构采用软穿通(SPT)结构,顶部结构采用增强型平面结构,该结构被称为SPT IGBT,仿真结果显示4500V SPT 具有软关断波形,与SPT结构相比提升了导通压降和关断损耗之间的折衷关系。同时,对不同载流子存储层掺杂浓度对动静态性能的影响也进行了研究,以此来优化SPT IGBT的动静态损耗。     

2019年诺奖解读：物理宇宙学

 2019年10月8日,瑞典皇家科学院宣布将今年的诺贝尔物理学奖的一半授予詹姆斯·皮布尔斯（James Peebles）,以表彰他在物理宇宙学方面的理论贡献和发现。詹姆斯·皮布尔斯,1935年生于加拿大温尼伯,现为美国普林斯顿大学教授。在过去几十年中,他在宇宙微波背景辐射（CMB）,宇宙中的结构形成,暗物质和暗能量等众多方向做出了重大贡献。他是现代宇宙学大厦的主要奠基者之一。