自组织量子点的形成过程

利用分子束外延技术(MBE)生长了一个分布很不均匀的InGaAs量子点样品.样品不同位置InGaAs的沉积量不同导致点的大小、密度分布不均匀.这种分布恰恰对应着量子点形成的不同时期,因此仅通过一个样品就可以把量子点的生长演变全过程展示出来.AFM和PL测试表明:随着InGaAs沉积量的增加,量子点的密度显著增加,量子点的尺寸分布渐趋均匀并倾向于一平衡值.     

自组织量子点的形成过程

利用分子束外延技术(MBE)生长了一个分布很不均匀的InGaAs量子点样品. 样品不同位置InGaAs的沉积量不同导致点的大小、密度分布不均匀. 这种分布恰恰对应着量子点形成的不同时期，因此仅通过一个样品就可以把量子点的生长演变全过程展示出来. AFM和PL测试表明：随着InGaAs沉积量的增加，量子点的密度显著增加，量子点的尺寸分布渐趋均匀并倾向于一平衡值.     

自组织量子点的形成过程

利用分子束外延技术(MBE)生长了一个分布很不均匀的InGaAs量子点样品.样品不同位置InGaAs的沉积量不同导致点的大小、密度分布不均匀.这种分布恰恰对应着量子点形成的不同时期,因此仅通过一个样品就可以把量子点的生长演变全过程展示出来.AFM和PL测试表明:随着InGaAs沉积量的增加,量子点的密度显著增加,量子点的尺寸分布渐趋均匀并倾向于一平衡值.     

全离子注入薄基区硅晶体管的研究

针对数字电路的开发和应用,设计了一种薄基区晶体管,其横向结构采用单侧基极引出.采用全离子注入,实现了基区宽度为80～100 nm的npn纵向结构.基极用电压输入,Vbe在1.2 V附近时,跨导峰值gmac(△Ic/△Vbe)=0.4 mS,βac(△Ic/△Ib)=2.5.当Vbe从0.5 V变到1.2 V时,gmac/gm比βac/β大得多.跨导比电流增益更能准确地描述器件特性.这种器件更倾向于电压控制型器件,用输入电压的变化可以很方便地控制器件开关状态的转换,特别适合于数字电路的开发和应用.采用研制的器件连接了双稳态电路,在电压脉冲的控制下实现了双稳态的翻转.