硫化亚铜中硫原子的高分辨观察

我们利用高分辨电子显微术,曾对Cu_2O中氧原子的成象规律进行了研究,并利用这种规律研究了一系列初期氧化物中氧原子位置。本文将讨论已知结构的Cu_2S晶体的高分辨观察结果及硫原子成象问题,以作为用HREM研究金属初期硫化产物的一个开端。将离子薄化的纯铜薄膜(纯度为99.99％)放置于壁上附有微量硫的封闭石英管中,在真空度为10~(-2)pa,温度为300℃的条件下进行硫化实验。所获样品的x射线能谱分析及电子衍射分析表明:在铜膜的边缘处形成的小晶体为Cu_2S,它具有逆荧石结构,晶格常数为a=0.55nm。图1的插图给出了     

高分辨电子显微像的定量分析与应用II.InGaAs/GaAs应变层超晶格的高分辨像定量分析

使用高分辨像定量分析方法和像模拟技术，对外延生长的ＧａＡｓ／ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ应变层超晶格的微观组态进行了详细的分析。用像模拟验证了成像位置与结构投影的对应关系。使用像点定位及畸变测量的分析方法，获得了晶格畸变位移分布图及畸变沿生长方向的分布曲线，扣除由四方畸变导致的点阵膨胀与收缩，得到了仅由Ｉｎ元素分布导致的点阵参数变化曲线。由晶格参数与Ｉｎ元素含量的线性对应关系，获得了超晶格中Ｉｎ元素沿生长方向的分布曲线。     

SiC／Si3N4复合材料中晶间相的能量过滤像研究

ＳｉＣ／Ｓｉ３Ｎ４复合材料中晶间相的能量过滤像研究＊于瀛大戴吉岩兰建章李斗星叶恒强（中国科学院金属研究所固体原子像开放研究实验室，沈阳１１００１５）复合材料的高温机械性能在很大程度上受材料中的界面和晶间相的影响，因此在纳米尺度上研究其晶间相的形态和化...     

热压Y-α/β-Sialon复相陶瓷的电镜分析

本文用ＴＥＭ，ＨＲＥＭ分析了热压Ｙ－α／β－Ｓｉａｌｏｎ复相陶瓷的组织结构，，结果表明长柱状β－Ｓｉａｌｏｎ晶粒与等轴状α－Ｓｉａｌｏｎ晶粒要互交叉结合在一起，在晶界上无晶间相分布，用会聚束电子衍射法可有效地区与α－Ｓｉａｌｏｎ相和β－Ｓｉａｌｏｎ相。电子能量损失谱（ＥＥＬＳ）分析表明在α－Ｓｉａｌｏｎ晶粒中有Ｏ，Ａｌ，Ｙ的固溶，在β－Ｓｉａｌｏｎ晶粒中有Ｏ，Ａｌ的固溶，Ｘ射线能谱（ＥＤＳ）分析表     

高分辨电子显微像的定量分析与应用Ⅱ.InGaAs/GaAs应变层超晶格的高分辨像定量分析

使用高分辨像定量分析方法和像模拟技术,对外延生长的GaAs/InxGa1-xAs应变层超晶格的微观组态进行了详细的分析.用像模拟验证了成像位置与结构投影的对应关系.使用像点定位及畸变测量的分析方法,获得了晶格畸变位移分布图及畸变沿生长方向的分布曲线,扣除由四方畸变导致的点阵膨胀与收缩,得到了仅由In元素分布导致的点阵参数变化曲线.由晶格参数与In元素含量的线性对应关系,获得了超晶格中In元素沿生长方向的分布曲线.     

高分辨电子显微像的定量分析与应用I.基于图像处理的高分辨像定量分析方法

本文通过研究高分辨电子显微像的图像处理技术,系统地建立了两种高分辨原子像亮点中心精确定位的处理方法:灰度梯度检测法和峰谷提取-灰度平均法.基于原子像亮点中心定位技术,使用最小二乘法,建立了测量高分辨像中局部点阵参数和晶格畸变的实际处理过程.结合像模拟、图像匹配等手段,详细研究了从高分辨像中提取元素分布、原子结构等信息的定量分析方法;并建立了一套UNIX平台上的高分辨像定量分析程序包,具有较高的精度和广泛的用途.     

La2O3弥散强化的扩散渗铝涂层的氧化行为研究

复合镀Ｎｉ－Ｌａ２Ｏ３扩散渗铝制备的Ｌａ２Ｏ３弥散强化的ＮｉＡｌ型复合涂层，在１２７３Ｋ氧化２０ｈ，比单镀镍渗铝的ＮｉＡｌ型涂层的氧化增重速率低；扫描电镜研究表明，ＮｉＡｌ型涂层掺入Ｌａ２Ｏ３质点后，表面氧化物层形貌明显改观；高分辨电子显微镜观测复合涂层氧化物层的精细结构，发现纳米级的Ｌａ２Ｏ３颗粒（１０～４０ｎｍ）掺入α－Ａｌ２Ｏ３氧化物层。Ｌａ２Ｏ３质点通过影响氧化层的显微结构而改变氧化膜生长