氮化硅薄膜的PECVD生长及其性能研究

采用ＰＥＣＶＤ法，反应温度为２５０℃，反应气体为ＮＨ３，ＳｉＨ４，在抛光硅片上沉积０．２～０．４μｍ厚的氮化硅薄膜。对这种Ｓｉ３Ｎ４薄膜的光学性能和电学性能进行了测试，其光学折射率为１．８７５，电阻率及击穿场强分别为８×１０１６Ω·ｃｍ及１×１０７Ｖ／ｃｍ，并用ＦＴＩＲ谱分析了薄膜的化学结构。     

基于人工局域表面等离激元的液晶微波介电常数测量传感器

液晶材料在微波频段具有良好的调制特性，在微波可调谐器件领域具有巨大的应用潜力。本文针对液晶材料微波介电常数的测量需求，提出了一种基于人工局域表面等离激元谐振的传感器。通过设计环形谐振器结构，在sub-6 GHz频段形成局域表面等离激元窄带谐振峰。通过给液晶施加外加电场，能够实现对液晶介电常数的调控。通过谐振频点位置的拟合，能够得到对应的液晶的介电常数大小，从而实现液晶材料在微波频段的介电常数的测量。本文研究了不同液晶层厚度、不同液晶介电常数对人工局域表面等离激元谐振频点的影响。随着液晶层厚度增加或者液晶介电常数的减小，谐振频点f₁和f₂都逐渐增大。当液晶层厚度大于或等于0.5 mm时，谐振频点f₁和f₂随介电常数的变化具有良好的线性度，且具有高灵敏度(>400 MHz/Δε)，远大于基于目前报道的其他形式介电常数传感器。同时，本传感器结构可以在液晶层上下施加电场，从而实现在不同外加电场作用下液晶材料微波介电常数的测量，在液晶微波特性研究领域具有应用潜力。     

一种带曲率补偿、工作电压1.2 V、可调带隙基准电压电路

在分析常规带隙基准电路的基础上,设计了一种带曲率补偿可调节的带隙基准电压电路,并且具有良好的温度系数。电路设计和仿真工具使用Cadence的Spectre。采用SMIC标准0.25μmCMOS工艺。电路中包含的运放为两级放大电路,开环增益为85dB。带隙基准电压电路采用并联电阻的简单电路实现了有效的曲率补偿,在2.5V工作电压下,-25~125℃,TC=3.10ppm/℃,功耗为0.859mW。电路也可以在1.2V电压下工作,-25~125℃,TC=5.34ppm/℃,功耗为0.36mW。     

NiCr溅射薄膜厚度分布的Monte Carlo模拟

本文采用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ（ＭＣ）方法对Ｓ－枪溅射ＮｉＣｒ薄膜过程进行了计算模拟，得到了沉积粒子在基片上的厚度分布，讨论了不同沉积参数对薄膜厚度分布的影响。     

0.6V CMOS低噪声放大器的设计与优化*

采用SMIC 0.18 μm CMOS工艺设计了一个低电压低功耗的低噪声放大器(Locked Nucleic Acid,LNA).分析了在低电压条件下LNA的线性度提高及噪声优化技术.使用Cadence SpectreRF仿真表明,在2.4 GHz的工作频率下,功率增益为19.65 dB,输入回波损耗S11为-12.18 dB,噪声系数NF为1.2 dB,1 dB压缩点为-17.99 dBm,在0.6V的供电电压下,电路的静态功耗为2.7 mW,表明所设计的LNA在低电压低功耗的条件下具有良好的综合性能.     

基于H.264的Exp-Golomb解码器ASIC设计

本文设计了一种适用于H.264标准的Exp-Golomb硬件解码器,通过在电路设计中采用桶形移位器、首一检测器等关键单元,实现了码长的快速检测和码流的连续处理,单个时钟周期内可解一个句法元素,有效减少了硬件资源的损耗。     

MIM结构力敏薄膜应变栅的高温稳定性

运用薄膜技术在镍基弹性体上制备金属 -绝缘层 -金属 (MIM)结构的薄膜应变栅 ,测试了应变栅在 2 0 0～ 30 0℃的高温区内的稳定性 ,并分析了应变栅薄膜的结构、薄膜的应力以及热处理工艺等因素对力敏薄膜在高温下的稳定性的影响。     

Analytical models of lateral power devices with arbitrary vertical doping profiles in the drift region

By solving the 2D Poisson's equation, analytical models are proposed to calculate the surface potential and electric field distributions of lateral power devices with arbitrary vertical doping profiles. The vertical and the lateral breakdown voltages are formulized to quantify the breakdown characteristic in completely-depleted and partially-depleted cases. A new reduced surface field (RESURF) criterion which can be used in various drift doping profiles is further derived for obtaining the optimal trade-off between the breakdown voltage and the on-resistance. Based on these models and the numerical simulation, the electric field modulation mechanism and the breakdown characteristics of lateral power devices are investigated in detail for the uniform, linear, Gaussian, and some discrete doping profiles along the vertical direction in the drift region. Then, the mentioned vertical doping profiles of these devices with the same geometric parameters are optimized, and the results show that the optimal breakdown voltages and the effective drift doping concentrations of these devices are identical, which are equal to those of the uniform-doped device, respectively. The analytical results of these proposed models are in good agreement with the numerical results and the previous experimental results, confirming the validity of the models presented here.     

基于微带结构双左手频带左手材料的研究

介绍了混合左右手材料传输线的传输特性和分析方法。混合左右手材料的两个通带分别出现在2.5 GHz和6 GHz处。通过仿真获得S₁₁、S₂₁和色散曲线,从理论上验证了左手特性的存在。具有双左手频带的左手材料将在未来四频器件中得到广泛应用。     

用Calibre工具对FFT芯片进行物理验证

FFT芯片在Astro工具中版图设计一旦完成,必须进行设计规则检查以确保版图设计的正确性。违反规则的版图设计将成为电路生产的隐患,因此,必须在sign-off之前检查出并改正。介绍了如何使用Mentor公司Calibre工具对Astro工具导出FFT芯片的GDSⅡ文件进行设计规则检查、天线规则检查、电学规则检查和版图与电路图一致性检查,并对检查中出现的问题提出相应的解决办法。