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1.
该文基于掺钪AlN薄膜制备了高次谐波体声波谐振器(HBAR),研究了钪(Sc)掺杂浓度对AlN压电薄膜材料特性及器件性能的影响。研究表明,当掺入Sc的摩尔分数从0增加到25%时,压电应力系数e33增加、刚度 下降,导致Al1-xScxN压电薄膜的机电耦合系数 从5.6%提升至15.8%,从而使HBAR器件的有效机电耦合系数 提升了3倍。同时,当Sc掺杂摩尔分数达25%时,Al1-xScxN(x为Sc掺杂摩尔分数)压电薄膜的声速下降13%,声学损耗提高,导致HBAR器件的谐振频率和品质因数降低。 相似文献
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4.
继电器微机检测装置的软件设计 总被引:2,自引:0,他引:2
继电器作为主要电气元件之一,广泛应用于各个领域。对继电器的检测主要包括机械参数和电气参数的检测。电气参数由于其项目多,实现微机测试比较困难,据此,开发了电磁继电器电参数的自动测试装置,本文仅介绍其软件设计。 相似文献
5.
嵌入式设备在很多应用场合正在和因特网相连接,比如蜂窝电话、机顶盒、无线接入点、医疗设备和公共信息电话亭。当这些能够上网的设备与因特网连接,但是没有足够的安全考虑时,他们将很容易受到攻击,这些攻击包括无意的访问和恶意攻击。如果没有一些相应安全措施,这些攻击可能会使设备的功能、操作以及包含的信息遭受破坏。 相似文献
6.
1四川电信网络智能化状况 2004年四川电信开始启动全省网络智能化改造工作.中兴通讯承建了四川电信21个本地网中的15个.初步实现了网络智能化、PSTN和PHS融合。2006年四川电信在TDM网络智能化的基础上全面引入软交换.并推进NGN(下一代网络)在全省的部署.将全省21个本地网划分为5个软交换大区.其中中兴通讯承建了绵阳、南充、内江3个大区共14个本地网软交换和网络智能化建设工程。 相似文献
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报道了用分子束外延的方法制备3英寸HgCdTe薄膜的研究结果,获得的HgCdTe外延材料均匀性良好,在直径70mm圆内,组份标准偏差率为1.2%,对应80K截止波长偏差仅为0.1μm.经过生长条件的改进,表面形貌获得了大幅度改善,缺陷密刃∮00cm-2,缺陷尺寸小于10μm,可以满足大规模HgCdTe焦平面列阵的应用需求.抖 相似文献
9.
铝互连线的电迁移问题历来是微电子产业的研究热点,其面临的电迁移可靠性挑战也是芯片制造业最持久和最重要的挑战之一.从20世纪90年代开始,超深亚微米(特征尺寸≤0.18 μm)铝互连技术面临了更加复杂的电迁移可靠性问题.从电迁移理论出发,分析概括了铝互连电迁移问题的研究方法,总结了上世纪至今关于铝互连电迁移问题的主要经验;最后结合已知的结论和目前芯片制造业现状,分析了当前超深亚微米铝互连线电迁移可靠性挑战的原因和表现形式,提出了解决这些问题的总方向.
关键词:
电迁移
铝互连
微结构 相似文献